[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810358160.1 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108365066B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 林予尧;柯淙凯;曾建元;陈彦志;游俊达;凌硕均;颜政雄;吴欣显 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包含：
第一半导体层；
活性层，位于该第一半导体层之上；以及
第二半导体层，位于该活性层之上，包含：
第一次层；
第二次层，位于该第一次层之上；以及
第三次层，位于该第一次层与该第二次层之间，
其中该第二次层的材料包含AlxGa1-xN，其中0x1，该第一次层与该第二次层具有相同的导电性，该第三次层不含有铝成分而该第一次层与该第二次层含有铝成分，并且该第二半导体层的表面包含多个不规则分布的六角孔穴。
2.如权利要求1所述的发光二极管，还包含半导体接触层，该半导体接触层位于该第二半导体层之上，其中该第二半导体层包含导电性为p型。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第三次层具有与该第二次层相同的导电性；及该第一次层具有第一杂质浓度，该第二次层具有第二杂质浓度，该第三次层具有第三杂质浓度，并且该第二杂质浓度大于该第一杂质浓度，该第三杂质浓度介于该第一杂质浓度以及该第二杂质浓度之间。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第三次层的厚度大于该第一次层的厚度，也大于该第二次层的厚度。
5.如权利要求1所述的发光二极管，还包含电子阻挡层，介于该活性层与该第二半导体层之间，其中该电子阻挡层的材料包含AlzGa1-zN，其中0.15z0.4。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其中第一次层包含AlyGa1-yN，其中0y0.3。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其中0x0.3。
8.如权利要求1所述的发光二极管，还包含应变层在第一半导体层与活性层之间，该应变层包含III-V族材料。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其中该应变层的杂质浓度小于该活性层的杂质浓度。
10.如权利要求2所述的发光二极管，其中于剖面观之，该第二半导体层与该半导体接触层之间有不规则的平面。
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