[发明专利]发光二极管及其制作方法

说明书

本发明公开一种发光二极管及其制作方法。该发光二极管包含第一半导体层、位于第一半导体层上的活性层、位于活性层之上的第二半导体层，以及位于第二半导体层之上的半导体接触层。第二半导体层包含第一次层与形成于第一次层之上的第二次层，其中第二次层的材料包含Al_xGa_1‑xN(0x1)，且第二半导体的表面包含多个不规则分布的六角孔穴。

本发明是中国发明专利申请(申请号：201310049983.3，申请日：2013年02月08日，发明名称：发光二极管及其制作方法)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制作方法，尤其是涉及改善发光二极管的光电特性。

背景技术

用于固态照明装置的发光二极管(light-emitting diode；LED)具有耗能低、低发热、操作寿命长、防震、体积小、反应速度快以及输出的光波长稳定等良好光电特性，因此发光二极管被广泛地应用于各种照明用途上。当发光二极管在导通的情况下，通过发光二极管的电流被称做顺向操作电流(If)，在通过顺向操作电流下量测发光二极管两端的电压则被称作为顺向电压(Vf)。

发光二极管的优点在于低耗能，但是在日常生活中更需要的是足够的亮光。除了增加所使用的发光二极管之外，也可增加发光二极管的操作电流以提升每个发光二极管的发光强度。但是在增加发光二极管的顺向电流时，同时会造成顺向电压与顺向电流的乘积增加，连带增加了被消耗成热能的能量。为了能让发光二极管被使用在低耗能的状况下，又同时让发光二极管能维持在足够的发光强度，降低发光二极管的顺向电压避免顺向电压与顺向电流的乘积过大，过多的能量被消耗成热能，成为促使发光二极管广泛被应用的重要研究方向。

前述的发光二极管可以与其他元件组合连接以形成一发光装置，在发光装置内的元件包含了具有电路的次载体、粘结发光二极管于次载体上并使发光二极管的基板与次载体上的电路电连接的焊料，以及电连接发光二极管的电极与次载体电路的电连接结构。其中，上述的次载体可以是导线架或大尺寸镶嵌基底，以方便发光装置的电路规划并提高其发光二极管的散热效果。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种发光二极管，其包含第一半导体层、一位于第一半导体层之上的活性层、位于活性层之上的第二半导体层以及位于第二半导体层之上的半导体接触层。第二半导体层包含有第一次层与形成于第一次层之上的第二次层，其中第二次层的材料包含AlxGa1-xN(0x1)，且第二次层的表面包含不规则分布的孔洞结构。

本发明公开一种发光二极管的制作方法，包含提供一基板，形成一第一半导体层于基板之上，接着形成一活性层于第一半导体层之上，再外延形成包含Al_xGa_1-xN(0x1)的一第二半导体层于活性层之上；其中，第二半导体层的表面包含不规则分布的孔洞结构。

附图说明

图1所示为本发明所公开的第一发光二极管叠层的实施例；

图2所示为本发明所公开的第二半导体层的实施例；

图3所示为本发明所公开的第二发光二极管叠层的实施例；

图4所示为本发明所公开的第三发光二极管叠层的实施例。

主要元件符号说明

100、200、300:发光二极管叠层

102:基板

104:超晶格层

106:第一半导体层

108:应变层

110:活性层

112:电子阻挡层

114:第二半导体层