[发明专利]晶圆清洗设备及其清洗方法在审
| 申请号： | 201810344649.3 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108598019A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李丹;高英哲;张文福;叶日铨;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆清洗设备及其清洗方法，所述晶圆清洗设备包括：密封的清洗腔体；用于放置晶圆的晶圆基座，位于所述清洗腔体内；第一进气管路，与所述清洗腔体连通，所述第一进气管路在开启时向所述清洗腔体输入气态CO2；第二进气管路，与所述清洗腔体连通，所述第二进气管路在开启时向所述清洗腔体输入CO2流体，其中，所述第一进气管路与所述第二进气管路分时开启；出气管路，与所述清洗腔体连通，用于排出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。本发明方案可以采用CO2流体对晶圆表面进行清洗，可以溶解去除残留的有机物等，从而提高清洗洁净度。 | ||
| 搜索关键词： | 进气管路 清洗腔体 清洗 流体 连通 晶圆清洗设备 清洗腔 体内 出气管路 分时开启 晶圆表面 晶圆基座 清洗设备 有机物 洁净度 晶圆 排出 种晶 去除 密封 溶解 残留 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆清洗设备，其特征在于，包括：密封的清洗腔体；用于放置晶圆的晶圆基座，位于所述清洗腔体内；第一进气管路，与所述清洗腔体连通，所述第一进气管路在开启时向所述清洗腔体输入气态CO2；第二进气管路，与所述清洗腔体连通，所述第二进气管路在开启时向所述清洗腔体输入CO2流体，其中，所述第一进气管路与所述第二进气管路分时开启；出气管路，与所述清洗腔体连通，用于排出所述清洗腔体内的气体或CO2流体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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