[发明专利]半导体工艺设备及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810322628.1 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110364450B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨维军;马彪;黄凌燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺设备及半导体器件的制造方法，所述半导体工艺设备将其中的固定灯座改为可调灯座，使得加热灯组的射出光的入射角度可调，继而使得加热罩组反射的反射光和加热灯组直射的直射光均聚焦于晶圆表面上的同一位置，避免反射光和直射光交叉造成的冷区，从而改善形成的膜层的厚度均一性，以满足器件的制造要求。所述的半导体器件的制造方法，采用所述半导体工艺设备来制作所需的膜层，可以改善形成的膜层的厚度均一性，提高器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：反应腔；晶圆承载基座，设置在所述反应腔中，用于承载晶圆；加热灯组，设置在所述反应腔中，并位于所述晶圆承载基座的上方；可调灯座，设置在所述反应腔外或者所述反应腔中，用于将所述加热灯组装配到所述反应腔中，并调节所述加热灯组射出的光相对所述晶圆表面的入射角度；加热罩组，设置在所述加热灯组与所述晶圆承载基座之间的反应腔空间中，用于将所述加热灯组射出的灯光聚焦于晶圆表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
