[发明专利]半导体工艺设备及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201810322628.1 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN110364450B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 杨维军;马彪;黄凌燕 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括:
反应腔;
晶圆承载基座,设置在所述反应腔中,用于承载晶圆;
加热灯组,设置在所述反应腔中,并位于所述晶圆承载基座的上方;
可调灯座,设置在所述反应腔外或者所述反应腔中,用于将所述加热灯组装配到所述反应腔中,并调节所述加热灯组射出的光相对所述晶圆表面的入射角度;所述可调灯座包括控制器、电动机、传动丝杆以及俯仰调节组件;所述控制器用于控制电动机工作;所述俯仰调节组件与所述加热灯组装配在一起;所述传动丝杆的一侧连接到所述电动机的转轴上,另一侧活动连接所述俯仰调节组件,用于在所述电动机的驱动下带动所述俯仰调节组件运动;所述俯仰调节组件用于在所述传动丝杆的带动下带动所述加热灯组运动,改变加热灯组的出光面和所述晶圆表面之间的夹角,以调节所述加热灯组射出的光相对所述晶圆表面的入射角度;
加热罩组,设置在所述加热灯组与所述晶圆承载基座之间的反应腔空间中,用于将所述加热灯组射出的灯光反射并聚焦于晶圆表面上,且所述加热灯组直射到晶圆表面上的光线和经由所述加热罩组反射的光线的交叉点落在晶圆表面上。
2.如权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述俯仰调节组件包括连接组件以及支撑组件,所述连接组件一侧与所述加热灯组固定连接,另一侧与所述传动丝杆螺纹连接,所述支撑组件的一侧与所述反应腔固定连接,另一侧与所述连接组件转动连接。
3.如权利要求2所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述支撑组件与所述连接组件转动连接的一端为球顶,所述连接组件中设有与所述球顶曲面接触的弧形凹坑;或者,所述支撑组件与所述连接组件转动连接的一端为弧形凹坑,所述连接组件中设有与所述弧形凹坑曲面接触的球顶;或者,所述支撑组件与所述连接组件转动连接的一端设有轴栓孔,所述连接组件中设有插在所述轴栓孔中的轴栓;或者,所述支撑组件与所述连接组件转动连接的一端设有轴栓,所述连接组件中设有插入所述轴栓的轴栓孔;或者,所述连接组件中设有转轴,所述支撑组件中设有夹持所述转轴并使得所述转轴能够转动的夹持块。
4.如权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括一用于设置所述反应腔的工艺参数的控制主机,所述控制器连接到所述反应腔的控制主机上或者直接集成到所述控制主机中,所述控制器用于根据所述控制主机的设置参数产生驱动所述电动机工作的信号。
5.如权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述电动机为步进电机或者伺服电机。
6.如权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述加热罩包括相对设置的内加热罩和外加热罩,所述内加热罩设置在靠近所述反应腔中心的一侧,所述外加热罩设置在靠近所述反应腔的侧壁的一侧。
7.如权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述加热灯组包括内灯以及设置在所述内灯的外围的外灯。
8.如权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括设置于所述反应腔中且位于所述反应腔顶部的反射盘。
9.如权利要求8所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述反射盘呈环形,所述加热灯组的数量为若干个,各个加热灯组通过相应的可调灯座沿所述反射盘依次安装到所述反应腔上或者直接安装在所述反射盘上,若干个所述加热灯组沿所述反射盘的环形均匀分布并面向所述晶圆表面。
10.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:采用权利要求1至9中任一项所述的半导体工艺设备,在一衬底晶圆的表面上形成一膜层。
11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述膜层包括多晶硅、锗硅和碳硅中的至少一种。
12.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在形成所述膜层的过程中,实时调整所述可调灯座,以调节所述加热灯组射出的光相对所述衬底晶圆表面的入射角度,使得所述加热罩组能够将所述加热灯组射出的光反射并聚焦于所述衬底晶圆表面上的相应位置,且所述加热灯组直射到晶圆表面上的光线和经由所述加热罩组反射的光线的交叉点落在晶圆表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造