[发明专利]半导体工艺设备及半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体工艺设备及半导体器件的制造方法，所述半导体工艺设备将其中的固定灯座改为可调灯座，使得加热灯组的射出光的入射角度可调，继而使得加热罩组反射的反射光和加热灯组直射的直射光均聚焦于晶圆表面上的同一位置，避免反射光和直射光交叉造成的冷区，从而改善形成的膜层的厚度均一性，以满足器件的制造要求。所述的半导体器件的制造方法，采用所述半导体工艺设备来制作所需的膜层，可以改善形成的膜层的厚度均一性，提高器件良率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及半导体器件的制造方法。

背景技术

外延(Epitaxy，简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层与所述单晶衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(例如硅Si/Si)，也可以是异质外延层(例如锗硅SiGe/Si或碳硅SiC/Si等)。外延层生长的质量(包括厚度、厚度均一性、掺杂浓度等)对器件的性能至关重要，但目前的外延生长设备生长的外延层的厚度均一性较差，无法满足器件的设计规格，并影响到良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体工艺设备及半导体器件的制造方法，能够改善形成的膜层的厚度均一性。

为了实现上述目的，本发明提供一种半导体工艺设备，包括：

反应腔；

晶圆承载基座，设置在所述反应腔中，用于承载晶圆；

加热灯组，设置在所述反应腔中，并位于所述晶圆承载基座的上方；

可调灯座，设置在所述反应腔外或者所述反应腔中，用于将所述加热灯组装配到所述反应腔中，并调节所述加热灯组射出的光相对所述晶圆表面的入射角度；

加热罩组，设置在所述加热灯组与所述晶圆承载基座之间的反应腔空间中，用于将所述加热灯组射出的灯光反射并聚焦于晶圆表面上，且所述加热灯组直射到晶圆表面上的光线和经由所述加热罩组反射的光线的交叉点落在晶圆表面上。

可选的，所述可调灯座包括控制器、电动机、传动丝杆以及俯仰调节组件；所述控制器用于控制电动机工作；所述俯仰调节组件与所述加热灯组装配在一起；所述传动丝杆的一侧连接到所述电动机的转轴上，另一侧活动连接所述俯仰调节组件，用于在所述电动机的驱动下带动所述俯仰调节组件运动；所述俯仰调节组件用于在所述传动丝杆的带动下带动所述加热灯组运动，改变加热灯组的出光面和所述晶圆表面之间的夹角，以调节所述加热灯组射出的光相对所述晶圆表面的入射角度。

可选的，所述俯仰调节组件包括连接组件以及支撑组件，所述连接组件一侧与所述加热灯组固定连接，另一侧与所述传动丝杆螺纹连接，所述支撑组件的一侧与所述反应腔固定连接，另一侧与所述连接组件转动连接。

可选的，所述支撑组件与所述连接组件转动连接的一端为球顶，所述连接组件中设有与所述球顶曲面接触的弧形凹坑；或者，所述支撑组件与所述连接组件转动连接的一端为弧形凹坑，所述连接组件中设有与所述弧形凹坑曲面接触的球顶；或者，所述支撑组件与所述连接组件转动连接的一端设有轴栓孔，所述连接组件中设有插在所述轴栓孔中的轴栓；或者，所述支撑组件与所述连接组件转动连接的一端设有轴栓，所述连接组件中设有插入所述轴栓的轴栓孔；或者，所述连接组件中设有转轴，所述支撑组件中设有夹持所述转轴并使得所述转轴能够转动的夹持块。

可选的，所述半导体工艺设备还包括一用于设置所述反应腔的工艺参数的控制主机，所述控制器连接到所述反应腔的控制主机上或者直接集成到所述控制主机中，所述控制器用于根据所述控制主机的设置参数产生驱动所述电动机工作的信号。

可选的，所述电动机为步进电机或者伺服电机。

可选的，所述加热罩包括相对设置的内加热罩和外加热罩，所述内加热罩设置在靠近所述反应腔中心的一侧所述外加热罩设置在靠近所述反应腔的侧壁的一侧。