[发明专利]等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法

摘要

本发明提供等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法，包括如下步骤：1）提供一待刻蚀目标材料层；2）于待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层；3）依据图形化掩膜层对待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在待刻蚀目标材料层内形成凹槽，凹槽的内表面形成有第一损伤层；4）使用第一处理气体对第一损伤层进行第一次刻蚀后处理，第一次刻蚀后处理后凹槽的内表面形成有第二损伤层；5）使用第二处理气体对第二损伤层进行第二次刻蚀后处理，第二次刻蚀后处理后凹槽的内表面残留有第二损伤层残留层。本发明可以防止形成的半导体元器件的电器性能不良及物理性能不良，进而确保半导体元器件的可靠性。

主权项

1.一种等离子刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)提供一待刻蚀目标材料层；2)于所述待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括若干个暴露出所述待刻蚀目标材料层的开口；3)依据所述图形化掩膜层对所述待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在所述待刻蚀目标材料层内形成凹槽，所述凹槽的内表面形成有第一损伤层；4)使用第一处理气体对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理，以去除所述第一损伤层，并且所述第一次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面形成有第二损伤层，所述第二损伤层的组分不同于所述第一损伤层；5)使用第二处理气体对所述第二损伤层进行第二次刻蚀后处理，以去除所述第二损伤层，当所述第二次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面残留有第二损伤层残留层，所述第二损伤层残留层的组分相同于所述第二损伤层。