[发明专利]等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法

权利要求书

1.一种等离子刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

1)提供一待刻蚀目标材料层；

2)于所述待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括若干个暴露出所述待刻蚀目标材料层的开口；

3)依据所述图形化掩膜层对所述待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在所述待刻蚀目标材料层内形成凹槽，所述凹槽的内表面形成有第一损伤层；

4)使用第一处理气体对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理，以去除所述第一损伤层，并且所述第一次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面形成有第二损伤层，所述第二损伤层的组分不同于所述第一损伤层；

5)使用第二处理气体对所述第二损伤层进行第二次刻蚀后处理，以去除所述第二损伤层，当所述第二次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面残留有第二损伤层残留层，所述第二损伤层残留层的组分相同于所述第二损伤层。

2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤5)之后还包括如下步骤：6)将步骤5)得到的结构进行清洗，以将所述第二损伤层残留层完全去除。

3.根据权利要求2所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤3)包括将步骤2)得到的结构置于干法刻蚀腔室的工作台上的第一阶段、依据所述图形化掩膜层对所述待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀的第二阶段及干法刻蚀过程中在刻蚀后的凹槽内表面形成所述第一损失层的第三阶段；步骤4)包括使用所述第一处理气体对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理的第四阶段及对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理的过程中在第一次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面形成所述第二损伤层的第五阶段；步骤5)包括使用第二处理气体对所述第二损伤层进行第二次刻蚀后处理的第六阶段；步骤6)包括将步骤5)得到的结构进行清洗的第七阶段；其中，所述第一阶段至所述第六阶段在同一腔室内执行，所述第七阶段独立于所述第一阶段至所述第六阶段之外单独执行。

4.根据权利要求2所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤6)中，将步骤5)得到的结构进行清洗包括如下步骤：

6-1)将所述第二损伤层残留层进行灰化处理；

6-2)对灰化处理后的所述第二损伤残留层进行湿法清洗，以将残留于所述凹槽的内表面的所述第二损伤残留层剥离。

5.根据权利要求4所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤6)后还包括如下步骤：7)去除所述图形化掩膜层。

6.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀目标材料层包括绝缘材料层及导电材料层构成的群组之一；步骤2)中，所述开口为孔形开口或线性开口。

7.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤3)中形成的所述第一损伤层包括第一等离子体损伤层及位于所述第一等离子体损伤层表面的第一反应残留物。

8.根据权利要求7所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4)中形成的所述第二损伤层包括第二等离子体损伤层及位于所述第二等离子体损伤层表面的第二反应残留物，所述第二等离子体损伤层的厚度小于所述第一等离子体损伤层的厚度。

9.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4)中使用的所述第一反应气体包括无碳气体。

10.根据权利要求9所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，所述第一反应气体还包括氯气。

11.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4)中对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理的等离子体的能量小于步骤3)中对所述待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀的等离子体的能量。

12.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4)中对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理的等离子体的电荷与支撑所述待刻蚀目标材料层的静电吸盘的电荷相同。