[发明专利]高功率密度塑封式IPM模块的封装结构及加工工艺在审

专利信息
申请号: 201810311883.6 申请日: 2018-04-09
公开(公告)号: CN108321134A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 王艳;鲍忠和;徐文艺 申请(专利权)人: 黄山宝霓二维新材科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L25/16;H01L21/60
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 韩凤
地址: 245900 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种高功率密度塑封式IPM模块的封装结构及加工工艺,其结构包括上表面图形化生长石墨烯的直接敷铜基板、MOSFET芯片、快速恢复二极管芯片、驱动芯片、印刷电路板、焊料层、石墨烯填充增强导热银胶、键合引线、引线框架、塑封外壳、石墨烯填充增强封装树脂。其中采用化学气相沉积法在直接敷铜基板上表面图形化生长石墨烯薄膜,通过发挥其优异的面内热传导性能,将高功率密度塑封式IPM模块的局部热点热量迅速横向传开,进而通过直接敷铜基板向外传导,降低模块最高温度。同时采用石墨烯填充增强导热胶及封装树脂,改善传统封装材料的热传导性能,有效提高模块的可靠性。
搜索关键词: 石墨烯 直接敷铜基板 高功率 塑封 填充 图形化生长 封装结构 封装树脂 上表面 快速恢复二极管芯片 化学气相沉积 热传导性能 石墨烯薄膜 印刷电路板 传导性能 导热银胶 封装材料 键合引线 局部热点 驱动芯片 塑封外壳 引线框架 导热胶 焊料层 内热 传导
【主权项】:
1.高功率密度塑封式IPM模块的封装结构,其特征在于,包括:驱动芯片(17)上表面的电路输出端与印刷电路板(19)上表面的对应焊盘引线键合,驱动芯片(17)下表面由石墨烯填充增强导热银胶(18)与印刷电路板(19)互连;还包括直接敷铜基板(12),其上表面具有第一铜层(13),其下表面具有第二铜层(11),在直接敷铜基板(12)第一铜层(13)上对应快速恢复二极管芯片(16)阴极的位置制作有第一石墨烯薄膜(30),在直接敷铜基板(12)第一铜层(13)上对应MOSFET芯片(15)漏极的位置制作有第二石墨烯薄膜(31);所述第一铜层(13)与快速恢复二极管芯片(16)的阴极、MOSFET芯片(15)的漏极通过焊料层(14)互连,所述焊料层(14)将第一石墨烯薄膜(30)、第二石墨烯薄膜(31)包裹在内;由外壳(29)将所述驱动芯片(17)、印刷电路板(19)、直接敷铜基板(12)、MOSFET芯片(15)、快速恢复二极管芯片(16)及所有键合引线封装起来。
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