[发明专利]高功率密度塑封式IPM模块的封装结构及加工工艺在审
| 申请号： | 201810311883.6 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108321134A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王艳;鲍忠和;徐文艺 | 申请（专利权）人： | 黄山宝霓二维新材科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L25/16;H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 245900 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 直接敷铜基板 高功率 塑封 填充 图形化生长 封装结构 封装树脂 上表面 快速恢复二极管芯片 化学气相沉积 热传导性能 石墨烯薄膜 印刷电路板 传导性能 导热银胶 封装材料 键合引线 局部热点 驱动芯片 塑封外壳 引线框架 导热胶 焊料层 内热 传导 | ||
1.高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，包括：
驱动芯片(17)上表面的电路输出端与印刷电路板(19)上表面的对应焊盘引线键合，驱动芯片(17)下表面由石墨烯填充增强导热银胶(18)与印刷电路板(19)互连；
还包括直接敷铜基板(12)，其上表面具有第一铜层(13)，其下表面具有第二铜层(11)，在直接敷铜基板(12)第一铜层(13)上对应快速恢复二极管芯片(16)阴极的位置制作有第一石墨烯薄膜(30)，在直接敷铜基板(12)第一铜层(13)上对应MOSFET芯片(15)漏极的位置制作有第二石墨烯薄膜(31)；所述第一铜层(13)与快速恢复二极管芯片(16)的阴极、MOSFET芯片(15)的漏极通过焊料层(14)互连，所述焊料层(14)将第一石墨烯薄膜(30)、第二石墨烯薄膜(31)包裹在内；
由外壳(29)将所述驱动芯片(17)、印刷电路板(19)、直接敷铜基板(12)、MOSFET芯片(15)、快速恢复二极管芯片(16)及所有键合引线封装起来。
2.根据权利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，所述外壳(29)内部由石墨烯填充增强环氧树脂(26)进行灌封。
3.根据权利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，还包括引线框架(25)，由焊料层(14)与直接敷铜基板(12)上表面第一铜层(13)以及印刷电路板(19)上表面输出引出端(28)互连。
4.根据权利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，所述快速恢复二极管芯片(16)上表面阳极与引线框架(25)的对应位置用第一铝线组(24)键合，快速恢复二极管芯片(16)下表面阴极由焊料层(14)与直接敷铜基板(12)的上表面(13)图形化互连。
5.根据权利要求1所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，所述MOSFET芯片(15)上表面源极与快速恢复二极管芯片(16)的阳极用第二铝线组(23)键合，MOSFET芯片(15)栅极与印刷电路板(19)上表面的栅极驱动引出端(20)用第三铝线组(22)键合，MOSFET芯片(15)下表面漏极由焊料层(14)与直接敷铜基板(12)的上表面(13)图形化互连。
6.根据权利要求3所述的高功率密度塑封式IPM模块的封装结构，其特征在于，所述引线框架(25)局部伸出外壳(29)。
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