[发明专利]一种图像传感器的器件邻近结构的制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图像传感器的器件邻近结构的制备方法包括：步骤S1，提供一衬底，衬底中制备有像素器件，像素器件中包括至少一个白光光电二极管；步骤S2，于衬底的上表面依次制备一第一氧化层、一高k介电层以及一第二氧化层；步骤S3，制备一氮化硅层覆盖第二氧化层的上表面后进行一退火工艺；步骤S4，于退火工艺完成后采用一刻蚀工艺去除氮化硅层；能够形成对自由电子束缚能力强的邻近结构，保证了白光光电二极管的性能。

主权项

1.一种图像传感器的器件邻近结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底中制备有像素器件，所述像素器件中包括至少一个白光光电二极管；步骤S2，于所述衬底的上表面依次制备一第一氧化层、一高k介电层以及一第二氧化层；步骤S3，制备一氮化硅层覆盖所述第二氧化层的上表面后进行一退火工艺；步骤S4，于所述退火工艺完成后采用一刻蚀工艺去除所述氮化硅层。