[发明专利]一种具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管有效
| 申请号： | 201810246811.8 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108493243B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 蒲红斌;安丽琪;王曦;胡丹丹;刘青;王雅芳 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/16;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王奇 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，包括SiC衬底，在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层，其中第四外延层杂质浓度在垂直方向存在由上至下降低的分布趋势，第五外延层分为尺寸相同的多个凸台，每个凸台的侧壁为平面；还包括绝缘介质薄膜，绝缘介质薄膜覆盖在第五外延层的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第四外延层的上表面，位于各个凸台之间的绝缘介质薄膜的高度低于凸台的上端面；在第五外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极；在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明的结构，独特新颖，可使SiC LTT的开通特性得到更好的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有变 掺杂 短基区 碳化硅 触发 晶闸管 | ||
【主权项】：
1.一种具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：包括SiC衬底(1)，在SiC衬底(1)之上制作有第一外延层(2)，即n+缓冲层；在第一外延层(2)之上制作有第二外延层(3)，即p+缓冲层；在第二外延层(3)之上制作有第三外延层(4)，即p‑长基区；在第三外延层(4)之上制作有第四外延层(5)，即变掺杂n短基区；在第四外延层(5)之上制作有第五外延层(6)，即p+发射区，分为尺寸相同的多个凸台，每个凸台的侧壁为平面；还包括绝缘介质薄膜(7)，绝缘介质薄膜(7)覆盖在第五外延层(6)的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第四外延层(5)的上表面，位于各个凸台之间的绝缘介质薄膜(7)的高度低于凸台的上端面；在第五外延层(6)的各个凸台上端面覆盖有阳极(8)；在SiC衬底(1)下端面覆盖有阴极(9)。
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