[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201810229805.1 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110310892A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王孝远;赵晓燕;郭兵;辜良智;季明华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有栅极结构；由下至上依次形成覆盖所述半导体衬底的绝缘层、隔离层；蚀刻去除所述绝缘层和所述隔离层的一部分，以形成场板结构；形成覆盖所述半导体衬底的层间介电层；形成贯穿所述层间介电层的场板接触孔，所述场板接触孔位于所述场板结构的上方，所述场板接触孔与所述半导体衬底之间至少包括所述场板结构的一部分。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，在获得高击穿电压的同时影响器件的导电通道的场强，实现高阻断耐压和低导通电阻的优化，从而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 半导体 场板结构 接触孔 场板 绝缘层 层间介电层 电子装置 制作 隔离层 场强 蚀刻 低导通电阻 高击穿电压 表面形成 导电通道 影响器件 栅极结构 覆盖 耐压 去除 贯穿 优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有栅极结构；由下至上依次形成覆盖所述半导体衬底的绝缘层、隔离层；蚀刻去除所述绝缘层和所述隔离层的一部分，以形成场板结构；形成覆盖所述半导体衬底的层间介电层；形成贯穿所述层间介电层的场板接触孔，所述场板接触孔位于所述场板结构的上方，所述场板接触孔与所述半导体衬底之间至少包括所述场板结构的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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