[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有栅极结构；由下至上依次形成覆盖所述半导体衬底的绝缘层、隔离层；蚀刻去除所述绝缘层和所述隔离层的一部分，以形成场板结构；形成覆盖所述半导体衬底的层间介电层；形成贯穿所述层间介电层的场板接触孔，所述场板接触孔位于所述场板结构的上方，所述场板接触孔与所述半导体衬底之间至少包括所述场板结构的一部分。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，在获得高击穿电压的同时影响器件的导电通道的场强，实现高阻断耐压和低导通电阻的优化，从而提高了半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double Diffused MOSFET，LDMOS)器件由于其具有良好的短沟道特性而被广泛的应用于移动电话，尤其应用在蜂窝电话中。随着移动通信市场(尤其是蜂窝通信市场)的不断增加，LDMOS器件的制作工艺日益成熟。LDMOS作为一种功率开关器件，具有工作电压相对较高、工艺简易，易于同低压CMOS电路在工艺上兼容等特点，与普通MOS器件相比，在漏极有一个轻掺杂注入区，被称为漂移区。由于其通常用于功率电路，需要获得较大的输出功率，因此必须能承受较高的击穿电压。

同时，随着LDMOS的广泛应用功率集成电路，对LDMOS的器件性能要求也越来越高，在提高LDMOS击穿电压的同时，还需进一步加强对导电通道场强的控制。因此，有必要提出一种新的半导体器件，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有栅极结构；

由下至上依次形成覆盖所述半导体衬底的绝缘层、隔离层；

蚀刻去除所述绝缘层和所述隔离层的一部分，以形成场板结构；

形成覆盖所述半导体衬底的层间介电层；

形成贯穿所述层间介电层的场板接触孔，所述场板接触孔位于所述场板结构的上方，所述场板接触孔与所述半导体衬底之间至少包括所述场板结构的一部分。

进一步，所述半导体衬底包括P阱和漂移区，所述栅极结构分别于所述P阱和所述漂移区交叠。

进一步，形成所述场板结构的步骤包括：

形成覆盖所述隔离层的牺牲层；

以图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻去除所述隔离层和所述牺牲层的一部分；

以剩余的所述隔离层和所述牺牲层为掩膜，蚀刻去除所述绝缘层的一部分，直至露出所述半导体衬底；

去除所述牺牲层，以形成场板结构，所述场板结构覆盖所述栅极结构的一部分和所述漂移区的一部分。

进一步，在形成所述场板结构之后以及形成所述层间介电层之前，还包括：

执行离子注入工艺，以在所述漂移区内形成漏区，在所述P阱内形成源区和体区；

在所述栅极结构暴露的上表面、所述漏区、所述源区以及所述体区上形成金属硅化物。

进一步，在形成所述场板接触孔时，还包括在所述栅极结构、所述漏区、所述源区以及所述体区的上方形成接触孔，所述接触孔与所述金属硅化物相接触。