[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有栅极结构；

由下至上依次形成覆盖所述半导体衬底的绝缘层、隔离层；

蚀刻去除所述绝缘层和所述隔离层的一部分，以形成场板结构；

形成覆盖所述半导体衬底的层间介电层；

形成贯穿所述层间介电层的场板接触孔，所述场板接触孔位于所述场板结构的上方，所述场板接触孔与所述半导体衬底之间至少包括所述场板结构的一部分。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底包括P阱和漂移区，所述栅极结构分别于所述P阱和所述漂移区交叠。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述场板结构的步骤包括：

形成覆盖所述隔离层的牺牲层；

以图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻去除所述隔离层和所述牺牲层的一部分；

以剩余的所述隔离层和所述牺牲层为掩膜，蚀刻去除所述绝缘层的一部分，直至露出所述半导体衬底；

去除所述牺牲层，以形成场板结构，所述场板结构覆盖所述栅极结构的一部分和所述漂移区的一部分。

4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述场板结构之后以及形成所述层间介电层之前，还包括：

执行离子注入工艺，以在所述漂移区内形成漏区，在所述P阱内形成源区和体区；

在所述栅极结构暴露的上表面、所述漏区、所述源区以及所述体区上形成金属硅化物。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在形成所述场板接触孔时，还包括在所述栅极结构、所述漏区、所述源区以及所述体区的上方形成接触孔，所述接触孔与所述金属硅化物相接触。

6.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层包括氧化物-氮化物-氧化物(ONO)叠层结构，所述隔离层包括氮化物层，所述牺牲层包括氧化物层。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体器件包括LDMOS器件。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有栅极结构；

场板结构，所述场板结构包括绝缘层和隔离层；

层间介电层，所述层间介电层覆盖所述半导体衬底；

场板接触孔，所述场板接触孔贯穿所述层间介电层并位于所述场板结构的上方，所述场板接触孔与所述半导体衬底之间至少包括所述场板结构的一部分。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底包括P阱和漂移区，所述栅极结构分别于所述P阱和所述漂移区交叠。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述场板结构覆盖所述栅极结构的一部分和所述漂移区的一部分。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述漂移区内形成有漏区，所述P阱内形成源区和体区。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构暴露的上表面、所述漏区、所述源区以及所述体区上形成有金属硅化物。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构、所述漏区、所述源区以及所述体区的上方形成有接触孔，所述接触孔与所述金属硅化物相接触。

14.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括氧化物-氮化物-氧化物(ONO)叠层结构，所述隔离层包括氮化物层。

15.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括LDMOS器件。

16.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求8-15中任一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。