[发明专利]一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810218852.6 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108550622A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 敖金平;李小波;邵春林;林岳明 | 申请（专利权）人： | 扬州科讯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，包括衬底和生长在衬底上的外延层，所述外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，本发明还公开其制造方法，在氮气和氩气气氛中，采用反应性磁控溅射法在外延层上的肖特基电极区域上形成氮化镍薄膜层，然后采用剥离法，形成肖特基接触，成为肖特基电极，通过通过氮化镍薄膜层取代镍金属作为肖特基接触，本发明解决了现有技术中二极管稳定性不够好，反向泄漏电流较大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基电极 外延层 肖特基势垒二极管 肖特基接触 薄膜层 氮化镍 氮化镓 衬底 制造 反应性磁控溅射 氮气 二极管 欧姆电极 泄漏电流 氩气气氛 剥离法 镍金属 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓肖特基势垒二极管，包括衬底和生长在衬底上的外延层，其特征在于，所述外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极。
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