[发明专利]金属-绝缘层-金属电容结构有效
| 申请号： | 201810211593.4 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN109712957B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 黄致凡;白志阳;萧远洋;萧琮介;陈蕙祺;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供金属‑绝缘层‑金属电容结构与其形成方法。金属‑绝缘层‑金属电容结构包括基板、底电极层、第一介电层、顶电极层、与第一介电间隔物。底电极层位于基板上。第一介电层位于底电极层上。顶电极层位于第一介电层上。第一介电间隔物位于底电极层其两侧的侧壁上。第一介电层具有第一介电常数。第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 电容 结构 | ||
【主权项】：
1.一种金属‑绝缘层‑金属电容结构，包括：一底电极层，位于一基板上；一第一介电层，位于所述底电极层上；一顶电极层，位于所述第一介电层上；以及多个第一介电间隔物，位于所述底电极层其两侧的侧壁上，其中所述第一介电层具有第一介电常数，所述多个第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。
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