[发明专利]半导体器件及用于制造其的方法

摘要

提供了一种制造半导体器件的方法。形成包括一个或多个牺牲层和堆叠在衬底上的一个或多个半导体层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成包括虚设栅极和虚设间隔件的虚设栅极结构。使用虚设栅极结构蚀刻堆叠结构以形成第一凹部。蚀刻一个或多个牺牲层。去除虚设间隔件。间隔件膜形成在所述虚设栅极、所述一个或多个半导体层和所述一个或多个牺牲层上。使用虚设栅极和间隔件膜来蚀刻半导体层和间隔件膜以形成第二凹部。形成形成在虚设栅极上的外部间隔件和形成在一个或多个牺牲层上的内部间隔件。在所述第二凹部中形成源极/漏极区。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包括一个或多个牺牲层和一个或多个半导体层的堆叠结构，其中所述一个或多个牺牲层中的每个牺牲层和所述一个或多个半导体层中的每个半导体层交替堆叠在衬底上；在所述堆叠结构上形成包括虚设栅极和虚设间隔件的虚设栅极结构；使用所述虚设栅极结构作为第一掩模来蚀刻所述堆叠结构以形成第一凹部并暴露所述一个或多个牺牲层；蚀刻由所述第一凹部暴露的所述一个或多个牺牲层的一部分；去除所述虚设间隔件；在所述虚设栅极、所述一个或多个半导体层和所述一个或多个牺牲层上形成间隔件膜；使用所述虚设栅极和在所述虚设栅极的侧壁上形成的所述间隔件膜作为第二掩模，蚀刻所述一个或多个半导体层中的半导体层的一部分以及所述间隔件膜的一部分以形成第二凹部；在虚设栅极的侧壁上形成外部间隔件，在一个或多个牺牲层的侧壁上形成内部间隔件；以及在所述第二凹部中形成源极/漏极区。