[发明专利]半导体器件及用于制造其的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成包括一个或多个牺牲层和一个或多个半导体层的堆叠结构，其中所述一个或多个牺牲层中的每个牺牲层和所述一个或多个半导体层中的每个半导体层交替堆叠在衬底上；

在所述堆叠结构上形成包括虚设栅极和虚设间隔件的虚设栅极结构；

使用所述虚设栅极结构作为第一掩模来蚀刻所述堆叠结构以形成第一凹部并暴露所述一个或多个牺牲层，其中形成所述第一凹部包括使用所述虚设栅极结构作为所述第一掩模来蚀刻所述衬底的一部分；

蚀刻由所述第一凹部暴露的所述一个或多个牺牲层的一部分；

去除所述虚设间隔件；

在所述虚设栅极、所述一个或多个半导体层和所述一个或多个牺牲层上形成间隔件膜；

使用所述虚设栅极和在所述虚设栅极的侧壁上形成的所述间隔件膜作为第二掩模，蚀刻所述一个或多个半导体层中的半导体层的一部分以及所述间隔件膜的一部分以形成第二凹部；

在虚设栅极的侧壁上形成外部间隔件，在一个或多个牺牲层的侧壁上形成内部间隔件；以及

在所述第二凹部中形成源极/漏极区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述虚设栅极结构包括：

在所述堆叠结构上形成所述虚设栅极；

在所述堆叠结构和所述虚设栅极的上表面上共形地形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上共形地沉积虚设间隔件膜；以及

去除所述虚设间隔件膜的一部分，以在虚设栅极的侧壁上形成所述虚设间隔件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中由所述第二凹部形成的所述内部间隔件的侧壁与由所述第二凹部形成的所述一个或多个半导体层的侧壁彼此对齐。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述内部间隔件包括在所述衬底和所述第二凹部之间形成所述内部间隔件，其中所述第二凹部形成在所述内部间隔件上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一凹部包括使用所述虚设栅极结构作为所述第一掩模来蚀刻所述衬底的一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述外部间隔件包括与所述内部间隔件相同的材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述外部间隔件和所述内部间隔件包括碳氧氮化硅SiOCN。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述虚设间隔件的厚度形成为大于所述外部间隔件的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述内部间隔件的介电常数k小于5。