[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810167278.6 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108550668B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层、低温P型半导体层、电子阻挡层、高温P型半导体层、接触层，所述低温P型半导体层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置，每个所述第一子层为P型掺杂的铝镓氮层，每个所述第二子层为P型掺杂的氮化镓层。本发明通过铝镓氮层的势能较高，防止电子溢流，同时铝镓氮层和氮化镓层之间有利于形成二维电子气，可以促进空穴的扩展，提高空穴的注入效率，最终提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层、低温P型半导体层、电子阻挡层、高温P型半导体层、接触层，其特征在于，所述低温P型半导体层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置，每个所述第一子层为P型掺杂的铝镓氮层，每个所述第二子层为P型掺杂的氮化镓层。
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