[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810167278.6 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108550668B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层、低温P型半导体层、电子阻挡层、高温P型半导体层、接触层，其特征在于，所述低温P型半导体层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置，每个所述第一子层为P型掺杂的AlxGa1-xN层，0.01≤x≤0.05，每个所述第二子层为P型掺杂的氮化镓层；每个所述第一子层的厚度小于各个所述第二子层的厚度，每个所述第一子层的厚度为10nm～15nm，每个所述第二子层的厚度为15nm～30nm；所述低温P型半导体层的生长温度低于所述电子阻挡层的生长温度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，每个所述第一子层中铝组分的含量先逐渐增大再逐渐减小。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个第一子层和所述多个第二子层的数量均为n，6＜n≤10且n为整数。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述低温P型半导体层的厚度小于所述电子阻挡层的厚度。
5.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层、低温P型半导体层、电子阻挡层、高温P型半导体层、接触层；
其中，所述低温P型半导体层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置，每个所述第一子层为P型掺杂的AlxGa1-xN层，0.01≤x≤0.05，每个所述第二子层为P型掺杂的氮化镓层；每个所述第一子层的厚度小于各个所述第二子层的厚度，每个所述第一子层的厚度为10nm～15nm，每个所述第二子层的厚度为15nm～30nm；所述低温P型半导体层的生长温度低于所述电子阻挡层的生长温度。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，每个所述第一子层的生长条件与各个所述第二子层的生长条件相同，所述生长条件包括生长温度和生长压力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810167278.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微型发光元件及其制作方法
- 下一篇：氮化物半导体结构及半导体发光元件
