[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201810156731.3 申请日: 2018-02-24
公开(公告)号: CN108511408B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 大宅大介;横田智司 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/48
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的在于提供适于小型化,而且能够简单地制造的半导体装置和该半导体装置的制造方法。特征在于,具有:半导体芯片;电极,其与该半导体芯片电连接,具有环状部;筒状电极,其具有形成有螺纹槽的主体部、和与该主体部相连且宽度比该主体部窄的窄幅部,该窄幅部插入至该环状部的内侧,使该筒状电极与该电极电连接;以及该半导体芯片和该电极的壳体,该壳体使该螺纹槽、以及该环状部与该筒状电极的连接部露出,且该壳体与该主体部接触。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体芯片;电极,其与所述半导体芯片电连接,具有环状部;筒状电极,其具有形成有螺纹槽的主体部、和与所述主体部相连且宽度比所述主体部窄的窄幅部,所述窄幅部插入至所述环状部的内侧,使该筒状电极与所述电极电连接;以及所述半导体芯片和所述电极的壳体,该壳体使所述螺纹槽、以及所述环状部与所述筒状电极的连接部露出,且该壳体与所述主体部接触。
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