[发明专利]半导体装置以及其制作方法有效
| 申请号： | 201810151286.1 | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110164978B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 马瑞吉;邢溯;温晋炀 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置包括埋入式绝缘层、半导体层、栅极结构、源极掺杂区与漏极掺杂区。半导体层设置于埋入式绝缘层上。栅极结构设置于半导体层上。半导体层包括体区设置于栅极结构与埋入式绝缘层之间。源极掺杂区与漏极掺杂区设置于半导体层中。第一接触结构贯穿埋入式绝缘层并接触体区。第二接触结构贯穿埋入式绝缘层并与源极掺杂区电连接。至少部分的第一接触结构于埋入式绝缘层的厚度方向上与体区重叠。体区通过第一接触结构与第二接触结构而与源极掺杂区电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：埋入式绝缘层；半导体层，设置于该埋入式绝缘层的一侧；栅极结构，设置于该半导体层上，其中该半导体层包括体区，设置于该栅极结构与该埋入式绝缘层之间；源极掺杂区以及漏极掺杂区，该源极掺杂区以及该漏极掺杂区分别设置于位于该栅极结构的相对两侧的该半导体层中；第一接触结构，贯穿该埋入式绝缘层并接触该体区，其中至少部分的该第一接触结构于该埋入式绝缘层的厚度方向上与该体区重叠；以及第二接触结构，贯穿该埋入式绝缘层并与该源极掺杂区电连接，其中该体区通过该第一接触结构与该第二接触结构而与该源极掺杂区电连接。
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