[发明专利]半导体器件与其制作方法在审
| 申请号： | 201810134787.9 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108493246A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;潘宇;张兆浩;许高博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/24;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该半导体器件包括：衬底；鳍片背栅，位于衬底的部分表面上；隔离介质层，设置在衬底以及鳍片背栅的表面上；栅介质层，设置在隔离介质层的远离衬底的表面上；二维材料层，设置在栅介质层的远离隔离介质层的表面上；两个电极，设置在二维材料层的远离栅介质层表面上，且鳍片背栅的两侧分别设置有一个电极。该半导体器件中，且采用二维材料层作为导电沟道，使得器件的寄生电阻较小且响应速度较快；并且采用鳍片作为背栅，由于鳍片背栅可以由侧墙转移光刻技术形成，其尺寸小于一般的光刻图形的尺寸，能够达到亚10纳米，使得该器件中的导电沟道较短，源漏之间的寄生电容较小，保证了器件具有较好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 背栅 鳍片 半导体器件 衬底 隔离介质层 二维材料 栅介质层 导电沟道 电极 光刻技术 光刻图形 寄生电容 寄生电阻 侧墙 源漏 制作 响应 申请 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底(10)；鳍片背栅(20)，位于所述衬底(10)的部分表面上；隔离介质层(30)，设置在所述衬底(10)以及所述鳍片背栅(20)的表面上；栅介质层(40)，设置在所述隔离介质层(30)的远离所述衬底(10)的表面上；二维材料层(50)，设置在所述栅介质层(40)的远离所述隔离介质层(30)的表面上；以及两个电极(60)，设置在所述二维材料层(50)的远离所述栅介质层(40)表面上，且所述鳍片背栅(20)的两侧分别设置有一个所述电极(60)。
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