[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810112699.9 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN110120420B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李信宏;陈冠全;李年中;李文芳;王智充 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括半导体层，有第一元件区域与第二元件区域。浅沟槽隔离结构在所述半导体层中，位于所述第一元件区域与所述第二元件区域的边缘。第一绝缘层与第二绝缘层在所述半导体层上，分别位于所述第一元件区域与所述第二元件区域。第一栅极结构位于所述第一绝缘层上。源极区域与漏极区域在所述半导体层中，位于所述第一栅极结构的两侧。栅极掺杂区域在所述半导体层的所述第二元件区域的表面区域，当作第二栅极结构。通道层位于所述第二绝缘层上。源极层与漏极层，在所述浅沟槽隔离结构上，位于所述通道层的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于包括:半导体层，有第一元件区域与第二元件区域；浅沟槽隔离结构，在所述半导体层中，位于所述第一元件区域与所述第二元件区域的边缘；第一绝缘层与第二绝缘层，在所述半导体层上，分别位于所述第一元件区域与所述第二元件区域；第一栅极结构，位于所述第一绝缘层上；源极区域与漏极区域，在所述半导体层中，位于所述第一栅极结构的两侧；栅极掺杂区域，在所述半导体层的所述第二元件区域的表面区域，当作第二栅极结构；通道层，位于所述第二绝缘层上；以及源极层与漏极层，在所述浅沟槽隔离结构上，位于所述通道层的两侧。
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