专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果183个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种贴片天线单元及天线-CN201910750419.1有效
  • 刘亮胜;李信宏;符会利 - 华为技术有限公司
  • 2016-01-30 - 2023-09-12 - H01Q1/38
  • 本发明涉及到通信技术领域,公开了一种贴片天线单元、天线及通信设备。该贴片天线单元包括层叠的第一支撑层、基板、第二支撑层及集成电路,其中,第一支撑层和第二支撑层上分别贴附一个辐射贴片,第二支撑层设置有接地层,接地层上设置有耦合缝隙,第二支撑层设置有与耦合缝隙对应的馈线;集成电路分别与第一接地层及馈线连接。在上述具体技术方案中,通过使用4层基板进行制作,利用第三层的耦合缝隙,可将57‑66GHz全频段的高频信号很有效的馈入到上两层的天线作辐射,并且减少了寄生影响,同时层叠结构增加了天线有效面积,实现的低的寄生参数以及高的有效面积为天线带来了高带宽高增益的性能效果。
  • 一种天线单元
  • [发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202210124091.4在审
  • 李信宏 - 联华电子股份有限公司
  • 2022-02-10 - 2023-08-22 - H01L29/78
  • 本发明公开一种半导体装置及其制作方法,半导体装置包括基底、第一晶体管以及第二晶体管。基底包括高压区以及低压区。第一晶体管设置在高压区内,包括设置在基底的第一平面上的第一栅极介电层,以及设置在第一栅极介电层上的第一栅极电极,其中,第一栅极介电层包括复合结构,其包括由下而上依序堆叠的第一介电层与第二介电层。第二晶体管设置在低压区内,包括突出于基底的第二平面的多个鳍状结构,以及跨设于鳍状结构的第二栅极电极,其中,第一介电层覆盖第二栅极电极的侧壁,且第一介电层的顶面与第二栅极电极齐平。
  • 半导体装置及其制作方法
  • [发明专利]线路裸板-CN202310014064.6在审
  • 简俊贤;李信宏;赖璇瑜;谢育忠;余弘斌 - 欣兴电子股份有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-07-25 - H05K1/02
  • 本发明公开了一种线路裸板。线路裸板包括基板、天线、芯片接垫、接地图案以及走线。基板包括表面。天线及芯片接垫形成在基板。接地图案形成在表面上。走线形成在表面上且不接触接地图案。走线与接地图案之间形成测量间隙,且走线包括第一端及第二端,第一端电性连接芯片接垫,第二端电性连接天线。线路裸板适于传输信号,而测量间隙的宽度小于信号的四分之一倍的等效波长。本发明线路裸板可以在没有检测用的芯片的条件下,直接让测量装置经由探针来检测,以缩短检测时间,并能直接得知线路裸板的天线品质。
  • 线路
  • [发明专利]半导体高压元件及其制作方法-CN202210001412.1在审
  • 李信宏 - 联华电子股份有限公司
  • 2022-01-04 - 2023-07-14 - H01L29/78
  • 本发明公开一种半导体高压元件及其制作方法,其中该半导体高压元件包含半导体基底;高压阱,设置在半导体基底中;漂移区,设置在高压阱中;凹陷沟道区,邻近漂移区;重掺杂漏极区,设置在漂移区中并与凹陷沟道区间隔开;隔离结构,设置在凹陷沟道区与漂移区中的重掺杂漏极区之间;埋入栅介电层,设置在凹陷沟道区上,其中埋入栅介电层的顶面低于重掺杂漏极区的顶面;以及栅极,设置在埋入栅介电层上。
  • 半导体高压元件及其制作方法
  • [发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN202111560189.6在审
  • 杨宗祐;李信宏;曹瑞哲;张哲华 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-12-20 - 2023-06-23 - H01L29/78
  • 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法,其中该半导体装置包括半导体基底、栅极结构、第一漂移区、第一源极/漏极区与栅极氧化物层。栅极结构与栅极氧化物层设置在半导体基底上。第一漂移区设置在半导体基底中。第一源极/漏极区设置在第一漂移区中。栅极氧化物层的第一部分的至少一部分在垂直方向上设置在栅极结构与半导体基底之间。栅极氧化物层的第二部分在水平方向上设置在第一部分与第一源极/漏极区之间。第二部分包括底部向下延伸与第一凹陷上表面位于底部之上。第一漂移区的一部分位于栅极氧化物层的第一部分与第二部分的下方。
  • 半导体装置及其制作方法
  • [发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN202111515735.4在审
  • 张哲华;李信宏;杨宗祐;曹瑞哲 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-12-13 - 2023-06-16 - H01L29/78
  • 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法,其中该半导体装置包括半导体基底、沟槽以与栅极结构。沟槽设置在半导体基底中。栅极结构设置在半导体基底上。栅极结构包括栅极电极、第一栅极氧化物层与第二栅极氧化物层。栅极电极的第一部分设置在沟槽中,且栅极电极的第二部分设置在沟槽之外。第一栅极氧化物层设置在栅极电极与半导体基底之间,且第一栅极氧化物层的至少一部分设置在沟槽中。第二栅极氧化物层在垂直方向上设置在栅极电极的第二部分与半导体基底之间,且第二栅极氧化物层的厚度大于第一栅极氧化物层的厚度。
  • 半导体装置及其制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN202111375792.7在审
  • 李信宏 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-11-19 - 2023-05-23 - H01L27/092
  • 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包含一基底、一薄膜晶体管位于该基底上,该薄膜晶体管包含一薄膜晶体管通道层、一第一源极与一第一漏极位于该薄膜晶体管通道层中以及一第一覆盖层位于该薄膜晶体管通道层上、一金属氧化物半场效晶体管位于该基底上,该薄膜晶体管包含一第二栅极、一第二源极与一第二漏极位于该第二栅极两侧以及一第二覆盖层位于该第二栅极上,其中该第二覆盖层与该第一覆盖层的顶面同高、以及一第一层间介电层位于该第一覆盖层与该第二覆盖层上,其中该第一层间介电层与该第一覆盖层共同作为该薄膜晶体管的栅介电层。
  • 半导体结构及其制作工艺
  • [发明专利]线路裸板的检测设备-CN202111252500.0在审
  • 李信宏;简俊贤;谢育忠;方一修;曾子章 - 欣兴电子股份有限公司
  • 2021-10-27 - 2023-04-28 - G01R29/10
  • 一种用于检测线路裸板的检测设备,其中线路裸板包括天线。检测设备包括承载台、探针装置与测量装置。承载台能承载线路裸板。测量装置电性连接探针装置,并通过探针装置而电性连接天线。测量装置能输出第一测试信号至天线。天线在接收第一测试信号之后,输出第二测试信号至测量装置。测量装置根据第二测试信号测量天线,其中第一测试信号与第二测试信号未经过任何主动元件。如此,检测设备能直接检测尚未装设晶片的线路板,以降低成本以及缩短检测时间。
  • 线路检测设备
  • [发明专利]光源装置-CN202110640417.4在审
  • 李信宏;吴中豪;廖俊谦;刘劲谷;简伟哲 - 诚屏科技股份有限公司
  • 2021-06-09 - 2022-12-09 - F21S2/00
  • 本发明提供一种光源装置,其包括光源以及导光板。光源用于提供多个光束。导光板用于导引多个光束,且包括多个微结构。导光板具有入光面以及第一表面。入光面连接第一表面。光源设置在入光面的一侧。多个微结构设置在第一表面。多个微结构中的每一个具有朝向光源的迎光面。多个微结构中的每一个满足以下条件:θ’=arctan((Δx‑sin(arctan(x/Δy))*a)/Δy)。本发明的光源装置可产生较正确的图案。
  • 光源装置
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110521137.1在审
  • 李信宏 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-05-13 - 2022-11-15 - H01L29/78
  • 本发明公开一种半导体结构及其制作方法,其中该半导体结构包含一基底,两浅沟隔离结构位于该基底内,其中在该两浅沟隔离结构之间定义有一第一区域、一第二区域以及一第三区域,其中该第二区域位于该第一区域以及该第三区域之间,两厚氧化层,分别位于该第一区域以及该第三区域之内,且分别直接接触该两浅沟隔离结构,以及一薄氧化层,位于该第二区域内,其中该第一区域内的该厚氧化层的厚度大于该第二区域内的该薄氧化层的厚度。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110047083.X在审
  • 杨宗祐;李信宏;曹瑞哲;邱达伟 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-01-14 - 2022-07-19 - H01L27/088
  • 本发明公开一种半导体结构及其制作方法,其中该半导体结构包含一基底,具有一第一区域和在所述第一区域周围的一第二区域;至少一第一鳍状结构,设置在所述第一区域内;至少一第二鳍状结构,设置在所述第二区域内;一第一隔离沟槽,设置在所述第一区域内并邻近所述至少一第一鳍状结构;一第一沟槽隔离层,设置在所述第一隔离沟槽中;一第二隔离沟槽,设置在所述第一区域周围并位于所述至少一第一鳍状结构与所述至少一第二鳍状结构之间,其中所述第二隔离沟槽的底面具有一阶梯落差;以及一第二沟槽隔离层,设置在所述第二隔离沟槽中。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201810112699.9有效
  • 李信宏;陈冠全;李年中;李文芳;王智充 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-02-05 - 2022-06-21 - H01L29/78
  • 本发明公开一种半导体元件及其制造方法,该半导体元件包括半导体层,有第一元件区域与第二元件区域。浅沟槽隔离结构在所述半导体层中,位于所述第一元件区域与所述第二元件区域的边缘。第一绝缘层与第二绝缘层在所述半导体层上,分别位于所述第一元件区域与所述第二元件区域。第一栅极结构位于所述第一绝缘层上。源极区域与漏极区域在所述半导体层中,位于所述第一栅极结构的两侧。栅极掺杂区域在所述半导体层的所述第二元件区域的表面区域,当作第二栅极结构。通道层位于所述第二绝缘层上。源极层与漏极层,在所述浅沟槽隔离结构上,位于所述通道层的两侧。
  • 半导体元件及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top