[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810022289.5 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110021528A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上具有鳍部结构和隔离结构，所述鳍部结构包括底部区和位于底部区上的顶部区，顶部区包括若干层沿基底表面法线方向重叠的复合鳍部，复合鳍部包括第二鳍部层以及位于第二鳍部层表面的第一鳍部层，隔离结构覆盖底部区侧壁表面；在隔离结构上形成介质层，介质层顶部表面高于鳍部结构顶部表面，介质层内具有横跨鳍部结构的第一栅开口，第一栅开口暴露出隔离结构部分表面、以及鳍部结构的部分顶部表面和部分侧壁表面；在所述第一栅开口底部的底部区顶部内形成阈值离子掺杂区；去除第一栅开口暴露出的第二鳍部层，形成第二栅开口；在第二栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅开口 鳍部 鳍部结构 隔离结构 底部区 半导体器件 顶部表面 介质层 侧壁表面 顶部区 基底 复合 离子掺杂区 法线方向 基底表面 栅极结构 暴露 去除 横跨 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，基底上具有鳍部结构和隔离结构，所述鳍部结构包括底部区和位于底部区上的顶部区，顶部区包括若干层沿基底表面法线方向重叠的复合鳍部，复合鳍部包括第二鳍部层以及位于第二鳍部层表面的第一鳍部层，隔离结构覆盖底部区侧壁表面；在隔离结构上形成介质层，介质层顶部表面高于鳍部结构顶部表面，介质层内具有横跨鳍部结构的第一栅开口，所述第一栅开口暴露出隔离结构部分表面、以及鳍部结构的部分顶部表面和部分侧壁表面；在所述第一栅开口底部的底部区顶部内形成阈值离子掺杂区；去除第一栅开口暴露出的第二鳍部层，形成第二栅开口；在第二栅开口内形成栅极结构，且所述栅极结构包围各层第一鳍部层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
