[发明专利]半导体装置以及其制造方法在审
| 申请号： | 201780093020.X | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110870078A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 石田茂;井上智博;高仓良平 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，包括薄膜晶体管(101)，所述薄膜晶体管(101)包含：半导体层(4)，于栅极电极(2)上介隔栅极绝缘层(3)而设置，具有第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域以及第二区域之间，且从基板的法线方向看时与栅极电极重叠的源极漏极间区域(RG)；保护层(5)，配置于所述半导体层(4)上；与第一区域相接的第一接触层(Cs)以及与第二区域相接的第二接触层(Cd)；源极电极(8s)；以及漏极电极(8d)；半导体层(4)包含结晶质硅区域(4p)，结晶质硅区域(4p)的至少一部分位于源极漏极间区域(RG)；至少1个开口部(10)被设置，所述至少1个开口部(10)贯通保护层(5)以及半导体层(4)，且到达栅极绝缘层(3)，当从基板的法线方向看时，至少1个开口部(10)位于源极漏极间区域(RG)内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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