[发明专利]半导体装置以及其制造方法

说明书

本发明的半导体装置，包括薄膜晶体管(101)，所述薄膜晶体管(101)包含：半导体层(4)，于栅极电极(2)上介隔栅极绝缘层(3)而设置，具有第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域以及第二区域之间，且从基板的法线方向看时与栅极电极重叠的源极漏极间区域(RG)；保护层(5)，配置于所述半导体层(4)上；与第一区域相接的第一接触层(Cs)以及与第二区域相接的第二接触层(Cd)；源极电极(8s)；以及漏极电极(8d)；半导体层(4)包含结晶质硅区域(4p)，结晶质硅区域(4p)的至少一部分位于源极漏极间区域(RG)；至少1个开口部(10)被设置，所述至少1个开口部(10)贯通保护层(5)以及半导体层(4)，且到达栅极绝缘层(3)，当从基板的法线方向看时，至少1个开口部(10)位于源极漏极间区域(RG)内。

技术领域

本发明关于包括薄膜晶体管的半导体装置以及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下“TFT”)，例如，在有源矩阵基板中，作为开关元件而使用。在本说明书，将如此的TFT称为“像素用TFT”。作为像素用TFT，以往，将非晶硅(amorphous silicon)膜(以下，简称为“a－Si膜”)设为活性层的非晶质硅TFT、将多结晶质硅膜等的结晶质硅膜(以下，简称为“c－Si膜”)设为活性层的结晶质硅TFT等被广泛使用。一般而言，c－Si膜的场效应迁移率(field effect mobility)较a－Si膜的场效应迁移率高，因此结晶质硅TFT，具有较非晶质硅TFT高的电流驱动力(也就是导通电流大)。

在显示装置等使用的有源矩阵基板，成为结晶质硅TFT的活性层的c－Si膜，例如，在玻璃基板上形成a－Si膜后，以对a－Si膜照射激光使其结晶化而形成(激光退火，Laserannealing)。

作为由激光退火的结晶化方法，提案有使用微透镜阵列，仅对a－Si膜之中成为TFT的活性层的区域将激光集光，藉此使a－Si膜部分地结晶化的方法(专利文献1～3)。在本说明书，将这个结晶化称为“部分激光退火”。若使用部分激光退火，则相较于将线状的激光遍及在a－Si膜整面而扫描的以往的激光退火，能够将结晶化所需的时间大幅地缩短，因此可提高量产性。

此外，若利用部分激光退火而形成TFT的活性层，则活性层除了被照射激光而结晶化的结晶质硅区域以外，还具有未被照射激光而维持非晶质硅状态的非晶质硅区域。在本说明书所谓的“结晶质硅TFT”的活性层，可以是仅由结晶质硅TFT区域构成，也可以包含结晶质硅TFT区域以及非晶质硅TFT区域的两方。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/132559号。

专利文献2：国际公开第2016/157351号。

专利文献3：国际公开第2016/170571号。

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在结晶质硅TFT，较非晶质硅TFT导通电流增加，截止漏电电流(off-leakcurrent)也增加。因此，根据结晶质硅TFT的用途，追求降低截止漏电电流。

本发明的一实施方式，是鉴于上述事态而完成，其目的在于，提供包括降低截止漏电电流的薄膜晶体管的半导体装置以及如此的半导体装置的制造方法。

解决问题的方案