[发明专利]具备氧化物半导体TFT的半导体装置在审
| 申请号： | 201780080983.6 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN110121785A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 中岛伸二;锦博彦;武田悠二郎;村重正悟 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备基板(21)和支撑于基板的氧化物半导体TFT(20)，氧化物半导体TFT(20)包括：含有In、Ga以及Zn的氧化物半导体层(27)、栅极电极(23)、形成于栅极电极(23)与氧化物半导体层(27)之间的栅极绝缘层(25)、以及与氧化物半导体层(27)接触的源极电极(28)及漏极电极(29)，氧化物半导体层(27)具有包括第1层(31)、第2层(32)以及配置于第1层与第2层之间的中间过渡层(33)的层叠结构，第1层(31)比第2层(32)靠栅极绝缘层侧配置，第1层(31)和第2层(32)具有不同的组成，中间过渡层(33)具有从第1层侧向第2层侧连续地变化的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 氧化物半导体 半导体装置 栅极绝缘层 中间过渡层 栅极电极 基板 侧向 层叠结构 漏极电极 源极电极 配置 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备基板和支撑于上述基板的氧化物半导体TFT，其特征在于，上述氧化物半导体TFT包括：含有In、Ga以及Zn的氧化物半导体层、栅极电极、形成于上述栅极电极与上述氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及与上述氧化物半导体层接触的源极电极及漏极电极，上述氧化物半导体层具有包括第1层、第2层以及配置于上述第1层与上述第2层之间的中间过渡层的层叠结构，上述第1层比上述第2层靠上述栅极绝缘层侧配置，上述第1层和上述第2层具有不同的组成，上述中间过渡层具有从上述第1层侧向上述第2层侧连续地变化的组成。
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