[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

摘要

在一种实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括在透光衬底(3)上的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的有源层(22)。电绝缘的镜层(5)设计用于反射在有源层(22)中产生的辐射。镜层(5)至少处于绝缘沟槽(42)中。金属电流连接片(6)安置在接触沟槽(41)中并且设计用于沿着接触沟槽(41)引导电流和用于对第一半导体区域(21)通电。金属汇流排(8)处于电流分配沟槽(43)中，设计用于沿着电流分配沟槽(43)引导电流以及用于对第二半导体区域(23)通电。接触沟槽(41)、绝缘沟槽(42)以及电流分配沟槽(43)穿过有源层(22)延伸直至第一半导体区域(21)中。接触沟槽(41)完全由绝缘沟槽(42)围边并且电流分配沟槽(43)仅处于绝缘沟槽(42)之外。

主权项

1.一种光电子半导体芯片(1)，具有：‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的用于产生辐射的有源层(22)，‑透光的衬底(3)，在所述衬底上存在所述半导体层序列(2)，‑至少一个接触沟槽(41)，‑至少一个绝缘沟槽(42)，‑至少一个电流分配沟槽(43)，‑至少在所述绝缘沟槽(42)中的电绝缘的镜层(5)，用于反射在所述有源层(22)中产生的辐射，‑在所述接触沟槽(41)中的至少一个金属电流连接片(6)，用于沿着所述接触沟槽(41)引导电流并且用于对所述第一半导体区域(21)通电，和‑在所述电流分配沟槽(43)中的至少一个金属汇流排(8)，用于对所述第二半导体区域(23)通电，其中‑所述接触沟槽(41)、所述绝缘沟槽(42)和所述电流分配沟槽(43)各自从所述第二半导体区域(23)的背离所述衬底(3)的侧穿过所述有源层(22)延伸直到所述第一半导体区域(21)中，和‑所述接触沟槽(41)完全地由所述绝缘沟槽(42)围边，并且所述电流分配沟槽(43)仅处于所述绝缘沟槽(42)之外。