[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片(1)，具有：

-半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的用于产生辐射的有源层(22)，

-透光的衬底(3)，在所述衬底上存在所述半导体层序列(2)，

-至少一个接触沟槽(41)，

-至少一个绝缘沟槽(42)，

-至少一个电流分配沟槽(43)，

-至少在所述绝缘沟槽(42)中的电绝缘的镜层(5)，用于反射在所述有源层(22)中产生的辐射，

-在所述接触沟槽(41)中的至少一个金属电流连接片(6)，用于沿着所述接触沟槽(41)引导电流并且用于对所述第一半导体区域(21)通电，和

-在所述电流分配沟槽(43)中的至少一个金属汇流排(8)，用于对所述第二半导体区域(23)通电，

其中

-所述接触沟槽(41)、所述绝缘沟槽(42)和所述电流分配沟槽(43)各自从所述第二半导体区域(23)的背离所述衬底(3)的侧穿过所述有源层(22)延伸直到所述第一半导体区域(21)中，和

-所述接触沟槽(41)完全地由所述绝缘沟槽(42)围边，并且所述电流分配沟槽(43)仅处于所述绝缘沟槽(42)之外。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述第一半导体区域(21)形成半导体层序列(2)的n侧并且所述第二半导体区域(23)形成半导体层序列(2)的p侧，并且所述镜层(5)直接施加在所述第一半导体区域(21)上并且局部地至少从所述绝缘沟槽(42)起延伸到所述第二半导体区域(23)的背离所述衬底(3)的侧上，

其中所述侧的最多5％由所述镜层(5)覆盖。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片(1)，

还包括电接触层(7)，其中所述接触层(7)与所述电流连接片(6)和与所述第一半导体区域(21)直接接触，并且设计用于将电流注入到所述第一半导体区域(21)中。

4.根据权利要求3所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述接触层(7)是金属层，并且从所述接触沟槽(41)的底面开始至少部分地覆盖所述接触沟槽(41)的侧面，并且遍布于所述有源层(22)上伸展至所述第二半导体区域(23)，

其中所述接触层(7)直接施加到所述底面和所述侧面上。

5.根据权利要求3所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述接触层(7)至少沿着所述电流连接片(6)限于所述接触沟槽(4)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子半导体芯片(1)，

其中沿着所述电流连接片(6)的纵向方向，交替地设置有多个接触区(61)和绝缘区(62)，

其中在所述接触区(61)中电流直接注入到所述第一半导体区域(21)中，和

其中在所述绝缘区(62)中，所述第一半导体区域(21)由于所述镜层(5)而不具有与所述电流连接片(6)的直接电接触。

7.根据权利要求6所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述接触区(61)沿着纵向方向占所述电流连接片(6)的份额在20％和70％之间，其中包括边界值，

其中所述电流连接片(6)沿着纵向方向越过所述接触区(61)和所述绝缘区(62)具有保持不变的宽度。

8.根据权利要求6所述的光电子半导体芯片(1)，

其中所述绝缘区(62)中的所述接触沟槽(41)、所述绝缘沟槽(42)和所述电流分配沟槽(43)是同样深的，

其中所述接触沟槽(41)在所述接触区(61)中比在绝缘区中更浅。