[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

说明书

在一种实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括在透光衬底(3)上的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的有源层(22)。电绝缘的镜层(5)设计用于反射在有源层(22)中产生的辐射。镜层(5)至少处于绝缘沟槽(42)中。金属电流连接片(6)安置在接触沟槽(41)中并且设计用于沿着接触沟槽(41)引导电流和用于对第一半导体区域(21)通电。金属汇流排(8)处于电流分配沟槽(43)中，设计用于沿着电流分配沟槽(43)引导电流以及用于对第二半导体区域(23)通电。接触沟槽(41)、绝缘沟槽(42)以及电流分配沟槽(43)穿过有源层(22)延伸直至第一半导体区域(21)中。接触沟槽(41)完全由绝缘沟槽(42)围边并且电流分配沟槽(43)仅处于绝缘沟槽(42)之外。

技术领域

提出一种光电子半导体芯片。

此外，提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片可有效地制造并且所述光电子半导体芯片提供高的光产出。

此外，所述目的通过具有实施例的特征的光电子半导体芯片和方法来实现。优选的改进方案是实施例的主题。

根据至少一个实施方式，光电子半导体芯片具有半导体层序列。半导体层序列包括一个或多个用于产生辐射、尤其用于产生可见光、如蓝光的有源层。有源层处于第一半导体区域和第二半导体区域之间。第一半导体区域优选为n传导的n侧，并且第二半导体区域尤其为p传导的p侧。下面，第一半导体区域和第二半导体区域分别借助所述载流子导电性阐述。同样，第一和第二半导体区域可以具有相反的载流子导电性。

光电子半导体芯片优选为发光二极管，简称LED。

根据至少一个实施方式，半导体层序列基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如为氮化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mN，或为磷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或也为砷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mAs或如Al_nGa_mIn_1-n-mAs_kP_1-k，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1和n+m≤1以及0≤k＜1。优选对于半导体层序列的至少一个层或所有层适用的是0＜n≤0.8，0.4≤m＜1，并且n+m≤0.95以及0＜k≤0.5。在此，半导体层序列能够具有掺杂材料以及附加的组成部分。出于简化原因，然而仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使当所述主要组成部分可以部分地通过少量其他物质取代和/或补充时也如此。特别优选地，半导体层序列基于材料体系AlInGaN。

至少一个有源层尤其包含至少一个pn结和/或至少一个量子阱结构。由有源层在运行时产生的辐射例如具有至少400nm或425nm和/或最高480nm或800nm的最大强度。

根据至少一个实施方式，半导体层序列处于透光的衬底上。衬底尤其对于在有源层中产生的辐射是可透过的，优选是透明的。半导体层序列此外优选直接在衬底上生长，使得衬底为生长衬底。例如衬底是碳化硅衬底、氮化镓衬底、硅衬底或优选蓝宝石衬底。

在此，第一半导体区域比第二半导体区域更靠近衬底。有源层优选垂直于半导体层序列的生长方向并且垂直于衬底的主侧取向，在所述主侧上施加半导体层序列。