[发明专利]半导体基材的制造方法有效
| 申请号： | 201780075211.3 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110036463B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李京鲜;咸昊璨 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;江磊 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施方式的半导体基材的制造方法包括以下步骤：用Fe、Cu和Ni中的至少一种金属对电阻率小于0.1Ω·cm的经掺杂的半导体基材的表面层和表面层之下的本体层中的至少一层进行污染；在950℃的温度下进行30分钟的干氧化以在半导体基材的表面上强制形成氧化物膜；以及通过采用光致发光评价法来对形成有氧化物膜的表面层和本体层中的至少一层中是否存在金属污染和所含金属污染程度中的至少一种信息进行评价。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基材 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体基材的制造方法，包括以下步骤：(a)用Fe、Cu或Ni中的至少一种金属对电阻率在0.1Ω·cm以下的经掺杂的半导体基材的表面层或位于该表面层之下的本体层中的至少一层进行污染；(b)在950℃的温度下进行30分钟的干氧化以在所述半导体基材的表面上强制形成氧化物膜；以及(c)采用光致发光评价法来对以下的至少一种信息进行评价：其上形成有所述氧化物膜的表面层、或本体层中的至少一层中是否存在金属污染或其金属污染程度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
