[发明专利]存储单元的选择器和储存材料的掺杂在审
| 申请号： | 201780073131.4 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110036479A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | D·吉利;A·哥蒂;D·W·柯林斯;S·A·朗加德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/3215;H01L45/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据实施例，用包括铝(Al)、锆(Zr)、铪(Hf)和硅(Si)中的一种或多种的掺杂剂掺杂存储器单元的储存元件、选择器元件或两者可以使相变存储器中的体积变化或密度变化最小化并使电迁移最小化。在一个实施例中，存储器单元包括第一电极和第二电极；以及储存元件，包括在第一和第二电极之间的掺杂相变材料层，其中，掺杂相变材料包括铝、锆、铪和硅的一种或多种。可以使用诸如共溅射或者沉积掺杂剂层和储存(或选择器)材料的交替层的技术来掺杂储存元件、选择器元件或两者。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 储存元件 存储器单元 选择器元件 第二电极 选择器 最小化 相变材料层 相变存储器 掺杂剂层 储存材料 存储单元 第一电极 密度变化 体积变化 相变材料 掺杂剂 电迁移 共溅射 交替层 沉积 储存 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：存储器单元阵列，其中，所述阵列的给定存储器单元包括：第一电极和第二电极；以及储存元件，包括在所述第一电极和所述第二电极之间的掺杂相变材料层，其中，所述掺杂相变材料包括铝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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