[发明专利]存储单元的选择器和储存材料的掺杂

权利要求书

1.一种电路，包括：存储器单元阵列，其中，所述阵列的给定存储器单元包括：

第一电极和第二电极；以及

储存元件，包括在所述第一电极和所述第二电极之间的掺杂相变材料层，其中，所述掺杂相变材料包括铝。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述掺杂相变材料层包括氧化铝或氮化铝。

3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述掺杂相变材料具有1-7at％范围的掺杂剂浓度。

4.根据权利要求1所述的电路，其中，所述掺杂相变材料包括硫属化物材料和铝的固溶体。

5.根据权利要求1所述的电路，还包括：

选择器元件，位于所述储存元件与所述第一电极和所述第二电极之一之间，其中，所述选择器元件包括掺杂硫属化物材料。

6.根据权利要求5所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料具有1-7at％范围的掺杂剂浓度。

7.根据权利要求5所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括硫属化物材料和掺杂剂的固溶体。

8.根据权利要求5所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括铝(Al)。

9.根据权利要求5所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括氧化铝或氮化铝。

10.根据权利要求5所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括以下之一：锆(Zr)、铪(Hf)和硅(Si)。

11.根据权利要求10所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括氧化物或氮化物。

12.根据权利要求1所述的电路，其中，所述储存元件在非晶态和结晶态下具有相同的宽度。

13.根据权利要求1所述的电路，其中，所述储存元件的掺杂相变材料的结晶温度在150-300摄氏度(℃)的范围内。

14.一种包括存储器单元阵列的电路，其中，所述阵列的给定存储器单元包括：

第一电极和第二电极；

储存元件，包括在所述第一电极和所述第二电极之间的掺杂相变材料层；以及

选择器元件，在所述储存元件与所述第一电极和所述第二电极之一之间，其中，所述选择器元件包括掺杂硫属化物材料。

15.根据权利要求14所述的电路，其中，所述掺杂相变材料和所述掺杂硫属化物材料具有1-7at％范围的掺杂剂浓度。

16.根据权利要求14所述的电路，其中，所述储存元件的掺杂相变材料和所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括硫属化物材料和掺杂剂的固溶体。

17.根据权利要求14所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括掺杂铝的硫属化物玻璃。

18.根据权利要求17所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括氧化铝或掺杂氮化铝的硫属化物玻璃。

19.根据权利要求14所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括以下之一：锆(Zr)、铪(Hf)和硅(Si)。

20.根据权利要求14所述的电路，其中，所述选择器元件的掺杂硫属化物材料包括氧化物或氮化物。