[发明专利]半导体装置

摘要

对于GGMOS的1个单元将N型体区域(5)配置多个，并且将N型体区域(5)的N型杂质浓度设定得较低，从而与阴极电极进行肖特基接触。具体而言，包围构成GGMOS的单元而将N型体区域(5)配置多个。由此，能够提高体接触电阻，能够提高基极电阻，所以能够更早地使寄生PNP晶体管导通。因而，能够可靠地抑制对被保护元件流过浪涌电流。

主权项

1.一种半导体装置，构成保护元件，其特征在于，具有上述保护元件，该保护元件具备：半导体基板(1)，具有彼此相接而构成的第1导电型阱层(2)和第2导电型阱层(3)；阴极区域(4)，在上述第1导电型阱层的表层部中形成在从上述第1导电型阱层和上述第2导电型阱层所构成的PN结离开了的位置，与上述第2导电型阱层相比第2导电型杂质浓度较高；第1导电型的体区域(5)，形成在上述第1导电型阱层的表层部中的与上述阴极区域不同的位置；阳极区域(7)，在上述第2导电型阱层的表层部中形成在从上述PN结离开了的位置，与上述第2导电型阱层相比第2导电型杂质浓度较高；栅极绝缘膜(8)，形成在上述第2导电型阱层中的位于上述阴极区域与上述阳极区域之间的部分的表面；栅极电极(9)，形成在上述栅极绝缘膜之上；阴极电极(11)，与上述阴极区域电连接，并且经由上述体区域而与上述第1导电型阱层电连接；以及阳极电极(12)，与上述阳极区域电连接，通过上述阴极区域和上述第1导电型阱层及上述第2导电型阱所形成的寄生晶体管(20)导通而使阴极－阳极间导通，从而上述保护元件保护在该阴极－阳极间连接的被保护元件(200)，上述体区域对于上述保护元件的1个单元被配置了多个，并且，对于上述阴极电极进行肖特基接触。