[发明专利]半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 201780064530.4 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110678987B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 朱宏斌;陆振宇;戈登·哈勒;孙洁;兰迪·J·科瓦尔;约翰·霍普金斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/66;H01L29/10;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例包含一种半导体装置，其具有堆叠结构，所述堆叠结构包含包括多晶硅的源极、在所述源极上的氧化物的蚀刻停止层、在所述蚀刻停止层上的选择栅极源极、在所述选择栅极源极上方的电荷存储结构，及在所述电荷存储结构上方的选择栅极漏极。所述半导体装置可进一步包含竖直地延伸到所述堆叠结构中到邻近所述源极的阶层的开口。包括多晶硅的沟道可形成在所述开口的侧表面及底表面上。所述沟道可在所述开口的下部分处接触所述源极，且所述沟道与所述电荷存储结构可被穿隧氧化物横向地分离。邻近所述选择栅极源极的所述沟道的宽度大于邻近所述选择栅极漏极的所述沟道的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：/n堆叠结构，其包含，/n源极，/n选择栅极源极阶层，其在所述源极上方，/n电荷存储结构，其在所述选择栅极源极阶层上方，/n选择栅极漏极阶层，其在所述电荷存储结构上方，及/n开口，其界定于所述堆叠结构中，所述开口竖直地延伸到所述堆叠结构中到邻近所述源极的阶层；及/n沟道，其包括形成在界定所述开口的侧表面及底表面上方的多晶硅，所述沟道在所述开口的下部分处接触所述源极，且所述沟道与所述电荷存储结构被穿隧电介质横向地分离；/n其中邻近所述电荷存储结构的所述开口的第一宽度与邻近所述选择栅极漏极阶层的所述开口的第二宽度大体上相同。/n
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