[发明专利]半导体装置及制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

堆叠结构，其包含，

源极，

选择栅极源极阶层，其在所述源极上方，

电荷存储结构，其在所述选择栅极源极阶层上方，

选择栅极漏极阶层，其在所述电荷存储结构上方，及

开口，其界定于所述堆叠结构中，所述开口竖直地延伸到所述堆叠结构中到邻近所述源极的阶层；

沟道材料，其包括形成在界定所述开口的侧表面及底表面上方的多晶硅，所述沟道材料在所述开口的下部分处接触所述源极，且所述沟道材料与所述电荷存储结构被穿隧电介质横向地分离，其中邻近所述电荷存储结构的所述沟道材料的第一宽度与邻近所述选择栅极漏极阶层的所述沟道材料的第二宽度大体上相同；及

导电插头，其从所述沟道材料的上表面延伸到所述沟道材料中，达到低于所述选择栅极漏极阶层的上表面的阶层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电荷存储结构是所述堆叠结构中的多个电荷存储结构中的一者，且其中邻近所述选择栅极漏极阶层的所述开口的所述第二宽度与邻近所述多个电荷存储结构的所述开口的宽度大体上相同。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源极包括多晶硅。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电插头从所述沟道材料的所述上表面延伸到邻近所述选择栅极漏极阶层的下表面的阶层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电插头从所述沟道材料的所述上表面延伸到邻近所述电荷存储结构的阶层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电荷存储结构包括浮动栅极。

7.一种半导体装置，其包括：

堆叠结构，所述堆叠结构包含，

源极，

蚀刻停止层，其在所述源极上方，其包含，

第一蚀刻停止阶层，其包含在所述源极上方的氮化物，及

第二蚀刻停止阶层，其包含在所述第一蚀刻停止阶层上方的氧化物，

选择栅极源极阶层，其在所述蚀刻停止层上方，

电荷存储结构，其在所述选择栅极源极阶层上方，

选择栅极漏极阶层，其在所述电荷存储结构上方，及

开口，其竖直地延伸到所述堆叠结构中到邻近所述源极的阶层；

沟道，其包括形成在所述开口的侧表面及底表面上的多晶硅，所述沟道在所述开口的下部分处接触所述源极，且所述沟道与所述电荷存储结构被穿隧电介质横向地分离，其中邻近所述选择栅极源极阶层及所述蚀刻停止层的所述沟道的第一宽度大于邻近所述选择栅极漏极阶层的所述沟道的第二宽度；及

导电插头，其从所述沟道的上表面延伸到所述沟道中，达到低于所述选择栅极漏极阶层的上表面的阶层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述堆叠结构进一步包括罩盖，所述罩盖包括形成在所述选择栅极漏极阶层上方的氮化物。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述堆叠结构进一步包括控制栅极，所述控制栅极与所述电荷存储结构被多晶硅间电介质水平地分离。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述多晶硅间电介质包括第一氧化物、第二氧化物及在所述第一氧化物与所述第二氧化物之间的氮化物。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述源极包括硅化钨，所述选择栅极源极阶层包括多晶硅，所述控制栅极包括多晶硅，且所述选择栅极漏极阶层包括多晶硅。