[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780047215.0 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109564959B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 平野光;长泽阳祐;秩父重英;小岛一信 | 申请（专利权）人： | 创光科学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种峰值发光波长为285nm以下的氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，具备：第1步骤，在包含蓝宝石基板的基底部的上表面，形成n型的Al |
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| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 紫外线 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，是峰值发光波长为285nm以下的氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，其特征在于，具备：第1步骤，在包含蓝宝石基板的基底部的上表面，形成n型的AlXGa1‑XN(1≥X≥0.5)系半导体所构成的n型半导体层；第2步骤，在所述n型半导体层的上方，形成包含AlYGa1‑YN(X＞Y＞0)系半导体所构成的发光层且整体由AlGaN系半导体构成的活性层；及第3步骤，在所述活性层的上方，形成p型的AlZGa1‑ZN(1≥Z＞Y)系半导体所构成的p型半导体层，所述第2步骤的生长温度比1200℃高、且为所述第1步骤的生长温度以上。
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