[发明专利]具有层级间通孔的单片3D集成电路有效
| 申请号： | 201780038830.5 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN109314094B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | S·P·辛哈;R·C·埃特金;B·T·克莱因;G·M·耶里克;K·章 | 申请（专利权）人： | 阿姆有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的各种实现可以针对在集成电路(IC)中使用层级间通孔(IV)。在一个实现中，三维(3D)IC可以包括部署在基板层上的多个层级，其中层级可以包括具有电耦接到第一互连层的第一有源器件层的第一层级，并且还可以包括具有电耦接到第二互连层的第二有源器件层的第二层级，其中第一互连层包括最不靠近第一有源器件层的最上层。3D IC还可以包括IV，以电耦接第二互连层和最上层。最上层可以电耦接到第一层级的外围位置处的电源，从而将电源电耦接到第一有源器件层和第二有源器件层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 层级 间通孔 单片 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)集成电路(IC)，包括：部署在基板层上的多个层级，其中所述多个层级包括：第一层级，具有电耦接到一个或多个第一互连层的第一有源器件层；第二层级，具有电耦接到第二互连层的第二有源器件层，其中第一层级被定位成比第二层级更靠近基板层，并且其中所述一个或多个第一互连层包括第一互连层的最不靠近第一有源器件层的最上面的第一互连层；一个或多个第一层级间通孔(IV)，被配置为电耦接到第二互连层和最上面的第一互连层：以及其中最上面的第一互连层电耦接到在第一层级的一个或多个外围位置处的电源，从而将电源电耦接到第一有源器件层和第二有源器件层。
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