[发明专利]具有层级间通孔的单片3D集成电路有效

专利信息
申请号: 201780038830.5 申请日: 2017-06-09
公开(公告)号: CN109314094B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: S·P·辛哈;R·C·埃特金;B·T·克莱因;G·M·耶里克;K·章 申请(专利权)人: 阿姆有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/528;H01L27/06
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 层级 间通孔 单片 集成电路
【权利要求书】:

1.一种三维集成电路,包括:

基板层;

第一层级,部署在所述基板层的顶部上并且具有电耦接到一个或多个第一互连层的第一有源器件层;

第二层级,部署在第一层级的顶部上并且具有电耦接到第二互连层的第二有源器件层,其中所述一个或多个第一互连层包括最上面的第一互连层;

电介质层,部署在第一层级和第二层级之间;

一个或多个第一层级间通孔,被配置为耦接到第二互连层并且耦接到最上面的第一互连层,

其中最上面的第一互连层耦接到在所述电介质层的顶部上的一个或多个外围位置处的一个或多个外围输入结构,其中所述一个或多个外围输入结构被配置为将最上面的第一互连层电耦接到电源,从而将电源电耦接到第一有源器件层和第二有源器件层。

2.如权利要求1所述的三维集成电路,其中相应的外围输入结构包括:

触点,电耦接到最上面的第一互连层;以及

导线接合输入端,电耦接到触点并被配置为从电源接收电力。

3.如权利要求2所述的三维集成电路,其中第一层级的尺寸大于第二层级的尺寸,并且其中所述一个或多个外围位置被定位成与第二层级的一侧相邻。

4.如权利要求1所述的三维集成电路,其中第一层级的所述一个或多个外围位置包括靠近第一层级的边缘的一个或多个位置。

5.如权利要求1所述的三维集成电路,其中最上面的第一互连层被配置为通过所述一个或多个第一互连层向第一有源器件层提供电力,并且其中最上面的第一互连层被配置为通过一个或多个第一层级间通孔和第二互连层向第二有源器件层提供电力。

6.如权利要求1所述的三维集成电路,其中所述一个或多个外围输入结构被配置为经由导电路径将最上面的第一互连层电耦接到电源,所述导电路径分别包括触点和导线接合输入端或包括穿硅通孔和焊料凸块。

7.如权利要求1所述的三维集成电路,其中所述三维集成电路是单片三维集成电路,并且其中一个或多个第一层级间通孔包括一个或多个单片层级间通孔。

8.如权利要求1所述的三维集成电路,其中所述一个或多个第一互连层和第二互连层由金属组成。

9.如权利要求1所述的三维集成电路,还包括一个或多个输入结构,所述一个或多个输入结构定位成靠近所述三维集成电路的中心并且至少部分地定位在第二层级的顶侧上,其中所述一个或多个输入结构被配置为使用多个金属层和一个或多个第二层级间通孔将电源电耦接到第一有源器件层并且电耦接到第二有源器件层。

10.如权利要求9所述的三维集成电路,其中所述一个或多个输入结构包括电耦接到所述多个金属层和所述一个或多个第二层级间通孔的一个或多个焊料凸块。

11.如权利要求1所述的三维集成电路,其中相应的外围输入结构包括:

穿硅通孔,电耦接到最上面的第一互连层;以及

焊料凸块,部署在第二层级的顶侧,电耦接到穿硅通孔,并被配置为从电源接收电力。

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