[发明专利]组合物和使用其沉积含硅膜的方法

摘要

本文描述了组合物和使用其在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜的方法，所述含硅膜例如但不限于碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。在一个方面中，使用包含碳‑碳双键或碳‑碳三键的第一化合物和包含至少一个Si‑H键的第二化合物的共沉积来沉积含硅膜。

主权项

1.一种用于在可流动化学气相沉积工艺中沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含表面特征的衬底置入反应器中，所述反应器处于‑20℃至约400℃范围内的一个或多个温度下；向所述反应器中引入具有至少一个碳‑碳双键或碳‑碳三键的第一化合物，其中所述第一化合物具有式RnSiR14‑n，其中R选自直链或支链C2至C6烯基、直链或支链C2至C6炔基；R1选自氢和支链C1至C10烷基；且n是选自0、1、2和3的数字；向所述反应器中引入具有至少一个Si‑H键的第二化合物，其中所述至少一种第二化合物选自由下式IIA至IIH构成的组：IIA.具有式SixH2x+2的聚硅烷化合物，其中x是2至6的数字；IIB.具有式R1mSiH4‑m的化合物，其中R1选自氢和直链或支链C1至C10烷基；且m是选自1、2和3的数字；IIC.具有式SiH3‑R2‑SiH3的化合物，其中R2是直链或支链C1至C6亚烷基；IID.具有式R3SiH2‑R2‑SiH2R4的化合物，其中R2是直链或支链C1至C6亚烷基；R3选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C4至C10芳基；且R4选自直链或支链C1至C10烷基；IIE.具有式(R3R4N)nSiH3‑nR1的化合物，其中R1选自氢和直链或支链C1至C10烷基；R3选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C4至C10芳基；且R4选自直链或支链C1至C10烷基；IIF.硅杂环烷基化合物；IIG.三甲硅烷基胺化合物或其衍生物；和IIH.具有式[(R3R4N)pSiH3‑p]2NR1或[R3pSiH2‑pNR1]q的硅氮烷化合物，其中R1选自氢和直链或支链C1至C10烷基；R3选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C4至C10芳基；且R4选自直链或支链C1至C10烷基；p＝0、1、2；q＝2或3；和IIIA.具有式(R3R4N)SiH2SiH3的有机氨基乙硅烷，其中R3选自氢、支链C1至C10烷基和C4至C10芳基；且R4选自直链或支链C1至C10烷基。