[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置有效

申请号：	201780018390.7	申请日：	2017-03-14
公开（公告）号：	CN108780757B	公开（公告）日：	2022-08-23
发明（设计）人：	山崎舜平;肥冢纯一;冈崎健一;岛行德;松田慎平;马场晴之;本田龙之介	申请（专利权）人：	株式会社半导体能源研究所
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;C23C14/08;H01L21/363;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/108;H01L29/786
代理公司：	中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038	代理人：	秦晨
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
搜索关键词：	半导体装置以及包括显示装置
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【主权项】：

1.一种半导体装置，包括：晶体管，包括：绝缘膜；第一导电膜；第二导电膜；第三导电膜；以及氧化物半导体膜，其中，所述第一导电膜包括与所述氧化物半导体膜接触的区域，所述第二导电膜包括与所述氧化物半导体膜接触的区域，所述第三导电膜包括与所述氧化物半导体膜重叠的区域，所述绝缘膜设置于所述第三导电膜与所述氧化物半导体膜之间，所述晶体管，包括：栅电压高于0V且10V以下的所述晶体管的场效应迁移率的最大值为40cm2/Vs以上且小于150cm2/Vs的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；S值小于0.3V/decade的区域；以及关态电流低于1×10‑12A/cm2的区域，并且，在μFE(max)表示所述晶体管的所述场效应迁移率的所述最大值且μFE(Vg＝2V)表示栅电压为2V的所述晶体管的所述场效应迁移率的值时，μFE(max)/μFE(Vg＝2V)为1以上且小于1.5。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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