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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示装置及电子设备-CN202211570911.9在审
发明人：山崎舜平;肥冢纯一;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路。驱动电路包括双栅结构的第一晶体管。像素部包括单栅结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括被用作沟道的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域。第一区域包含In或者Zn、以及氧。第二区域包含In或者元素M、以及氧。第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。
显示装置电子设备

[发明专利]显示装置及电子设备-CN201780052947.9有效
发明人：山崎舜平;肥冢纯一;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路。驱动电路包括双栅结构的第一晶体管。像素部包括单栅结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括被用作沟道的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域。第一区域包含In或者Zn、以及氧。第二区域包含In或者元素M、以及氧。第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。
显示装置电子设备

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN202210902715.0在审
发明人：山崎舜平;肥冢纯一;冈崎健一;岛行德;松田慎平;马场晴之;本田龙之介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备-CN202210637773.5在审
发明人：神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
半导体装置制造方法显示装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN201780018390.7有效
发明人：山崎舜平;肥冢纯一;冈崎健一;岛行德;松田慎平;马场晴之;本田龙之介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备-CN201780012189.8有效
发明人：神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
半导体装置制造方法显示装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置-CN201880080451.7在审
发明人： 肥冢纯一;神长正美;岛行德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。以与包含呈现半导体特性的金属氧化物的半导体层的底面接触的方式设置包含氧化物的岛状绝缘层。包含氧化物的绝缘层以与成为半导体层的沟道形成区域的部分接触的方式设置，且不设置在成为低电阻区域的部分中。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201810172995.8在审
发明人： 肥冢纯一;冈崎健一;岛行德;中泽安孝;保坂泰靖;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。
半导体装置绝缘层金属氧化物层第一区域第二区域含量比栅电极电极浓度梯度电特性功耗制造

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