[发明专利]有源矩阵基板在审
| 申请号： | 201780016987.8 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108780620A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 菊池哲郎;大东彻;今井元;伊藤俊克;越智久雄;北川英树;铃木正彦;上田辉幸;郡司辽佑;原健吾;西宫节治 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 有源矩阵基板具备：基板(1)；周边电路，其包含第1氧化物半导体TFT(101)；多个第2氧化物半导体TFT(102)，其配置在显示区域内；以及第1无机绝缘层(11)，其覆盖多个第2氧化物半导体TFT(102)，第1氧化物半导体TFT(101)具有：下部栅极电极(3A)；栅极绝缘层(4)；氧化物半导体层(5A)，其配置为隔着栅极绝缘层与下部栅极电极相对；源极电极(7A)和漏极电极(8A)；以及上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1无机绝缘层(11)的绝缘层配置在氧化物半导体层(5A)之上，在上部栅极电极(BG)之上，还具有覆盖第1氧化物半导体TFT(101)的第2无机绝缘层(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体 栅极电极 无机绝缘层 氧化物半导体层 源矩阵基板 栅极绝缘层 绝缘层配置 漏极电极 显示区域 源极电极 周边电路 覆盖 基板 配置 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其设置在上述显示区域的周边，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：基板；第1氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述非显示区域；周边电路，其包含上述第1氧化物半导体TFT；多个第2氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域；以及第1无机绝缘层，其覆盖上述多个第2氧化物半导体TFT，上述第1氧化物半导体TFT具有：下部栅极电极；栅极绝缘层，其覆盖上述下部栅极电极；氧化物半导体层，其配置为隔着上述栅极绝缘层与上述下部栅极电极相对；源极电极和漏极电极，其连接到上述氧化物半导体层；以及上部栅极电极，其隔着包含上述第1无机绝缘层的绝缘层配置在上述氧化物半导体层之上，在上述上部栅极电极之上，还具有覆盖上述第1氧化物半导体TFT的第2无机绝缘层。
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