[发明专利]模板、氮化物半导体紫外线发光元件和模板的制造方法有效
| 申请号： | 201780005631.4 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109314159B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 平野光;长泽阳祐 | 申请（专利权）人： | 创光科学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;C30B29/38;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 模板具备蓝宝石基板和AlN层，所述蓝宝石基板以(0001)面或相对于(0001)面仅倾斜规定角度的面作为主面，所述AlN层直接形成于蓝宝石基板的主面，且由相对于该主面具有外延的结晶方位关系的AlN结晶构成。该模板中，AlN层的自主面起为20nm的厚度处的AlN结晶的平均粒径为100nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 氮化物 半导体 紫外线 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种模板，其特征在于，其具备蓝宝石基板和AlN层，所述蓝宝石基板以(0001)面或相对于(0001)面仅倾斜规定角度的面作为主面，所述AlN层直接形成于所述蓝宝石基板的所述主面，且由相对于该主面具有外延的结晶方位关系的AlN结晶构成，所述AlN层的自所述主面起为20nm的厚度处的所述AlN结晶的平均粒径为100nm以下。
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