[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置有效
| 申请号： | 201780004266.5 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108292605B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 西山雄士;宫崎正行;北村祥司 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使将杂质注入到碳化硅半导体层的工序高效化。提供一种制造方法，其是具备碳化硅半导体层的半导体装置的制造方法，具备杂质注入步骤：在将碳化硅半导体层的温度设为150℃以下的状态下，针对碳化硅半导体层处的杂质注入区，将杂质多次注入到不同的深度。在杂质注入步骤中，可以在将碳化硅半导体层的温度设为室温以上的状态下，针对杂质注入区，将杂质多次注入到不同的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造方法，其是具备碳化硅半导体层的半导体装置的制造方法，其特征在于，具备杂质注入步骤，在所述杂质注入步骤中，在将所述碳化硅半导体层的温度设为150℃以下的状态下，针对所述碳化硅半导体层处的杂质注入区，将杂质多次注入到不同的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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