[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置

权利要求书

1.一种制造方法，其是具备碳化硅半导体层的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备杂质注入步骤，在所述杂质注入步骤中，在将所述碳化硅半导体层的温度设为150℃以下的状态下，针对所述碳化硅半导体层处的杂质注入区，将杂质多次注入到不同的深度，

在所述杂质注入步骤中，注入有所述杂质的所述杂质注入区的深度方向上的杂质浓度分布具有多个峰和多个谷，

从所述碳化硅半导体层的注入有所述杂质的注入面观察时，最深的峰的杂质浓度高于第二深的峰的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述杂质注入步骤中，在将所述碳化硅半导体层的温度设为室温以上的状态下，针对所述杂质注入区，将杂质多次注入到不同的深度。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述杂质注入步骤中，在将所述碳化硅半导体层配置于室温气氛的状态下，针对所述杂质注入区，将杂质多次注入到不同的深度。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述杂质注入步骤中，以使所述杂质注入区的杂质浓度成为1.0×10¹⁶/cm³以上且5.0×10¹⁹/cm³以下的方式注入杂质。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述杂质注入步骤中，以使所述杂质注入区的杂质浓度成为1.0×10¹⁸/cm³以下的方式注入杂质。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述多个谷之中第一谷的杂质浓度相对于所述多个峰之中第一峰的杂质浓度的比例为10％以上且60％以下，所述第一峰是从所述碳化硅半导体层的注入有所述杂质的注入面观察时最深的峰，所述第一谷是从所述注入面观察时最深的谷。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的制造方法，其特征在于，从所述碳化硅半导体层的注入有所述杂质的注入面观察时越深，所述杂质浓度分布中的各个峰的深度方向上的间隔越大。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述杂质注入步骤中的注入杂质的总剂量为6.0×10¹⁴/cm²以下。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述杂质注入步骤中的注入杂质的总剂量为1.55×10¹⁴/cm²以下。

10.根据权利要求1～6中任一项所述的制造方法，其特征在于，从所述碳化硅半导体层的注入有所述杂质的注入面观察时，所述多个峰之中最深的第一峰的深度为0.2μm以上且1.0μm以下。

11.根据权利要求1～6中任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述杂质注入步骤之前，具备掩模形成步骤，在所述掩模形成步骤中，在所述碳化硅半导体层的上方形成与所述杂质注入区对应的形状的抗蚀剂掩模。

12.根据权利要求1～6中任一项所述的制造方法，其特征在于，以使通过所述杂质注入步骤注入而成的所有的峰和谷处的杂质浓度均成为1.0×10¹⁶/cm³以上且5.0×10¹⁹/cm³以下的方式注入杂质。