[实用新型]一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管有效
| 申请号： | 201721924923.1 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN207637804U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;左勇强;易琼红 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L29/417;H01L23/29 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管，NPN型元胞单元包括N+型衬底、位于N+型衬底背面的金属层及位于N+型衬底正面的N‑型第一衬底子层，在N‑型第一衬底子层内设有P型基区，在P型基区上覆盖有基区金属层；在P型基区内设有N+发射区，在N+发射区上方盖有发射区金属层，其特征在于，N+型衬底为三重扩散结构；在N+型发射区四周设有N+型环；在P型基区的四周设有P+增压环9；N‑型第一衬底子层上方覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层从下到上依次为磷硅玻璃、二氧化硅和氮化硅，绝缘介质层上方覆盖有聚酰亚胺钝化层；本实用新型通过优化器件结构，使其满足大电流、高电压输出，同时提高了二次击穿容量。 | ||
| 搜索关键词： | 发射区 绝缘介质层 二次击穿 大电流 底子层 衬底 本实用新型 功率晶体管 金属层 覆盖 半导体器件 高电压输出 衬底正面 二氧化硅 基区金属 聚酰亚胺 磷硅玻璃 三重扩散 优化器件 氮化硅 钝化层 增压环 元胞 制造 | ||
【主权项】：
1.一种大电流二次击穿高NPN型功率晶体管，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区包括若干个NPN型元胞单元，所述NPN型元胞单元包括N+型衬底（3）、位于N+型衬底（3）背面的金属层（1）及位于N+型衬底（3）正面的N‑型第一衬底子层（4），在所述N‑型第一衬底子层（4）内设有P型基区（5），在P型基区（5）上覆盖有基区金属层（11）；在所述P型基区（5）内设有N+发射区（6），在N+发射区（6）上方盖有发射区金属层（7），其特征在于，在N+发射区（6）四周设有N+型环（10）；在P型基区（5）的四周设有P+增压环（9）；所述N‑型第一衬底子层（4）上方覆盖有绝缘介质层（8），所述绝缘介质层（8）从下到上依次为磷硅玻璃（81）、二氧化硅（82）和氮化硅（83），所述绝缘介质层（8）上方覆盖有聚酰亚胺钝化层（2）。
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